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磁控共溅镀设备 Co-Sputter
产品描述
上海伯东代理的磁控共溅镀腔提供了精准控制多个磁控溅镀的制程条件, 加装美国 KRi 离子源为客户提供更好质量的复合式薄膜.单片和多片式的loading chamber, 可节省其制程腔体的抽气时间, 进而节省整体实验时间. 广泛应用于半导体, 纳米科技, 太阳能电池等行业以及氧化物, 氮化物和金属材料的研究等.
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磁控共溅镀设备 Co-Sputter 简介：
磁控共溅镀设备 Co-Sputter
磁控共溅镀是指同时有两个或多个磁控溅镀枪, 溅镀于被镀物上. 磁控共溅镀主要用于复合金属或复合材料, 通过分别优化每一支磁控溅镀枪 (靶材) 的功率来控制薄膜质量, 其薄膜厚度取决于溅镀时间.
上海伯东代理的磁控共溅镀腔提供了精准控制多个磁控溅镀的制程条件, 加装美国 KRi 离子源为客户提供更好质量的复合式薄膜.单片和多片式的loading chamber, 可节省其制程腔体的抽气时间, 进而节省整体实验时间. 广泛应用于半导体, 纳米科技, 太阳能电池等行业以及氧化物, 氮化物和金属材料的研究等.
上海伯东磁控共溅镀设备配置和优点
客制化基板尺寸, 最大直径可达 12寸晶圆
薄膜均匀度小于 ±3％
磁控溅镀源 (最多8个源), 具有多种可选的靶材尺寸
具有顺序操作或共沉积的多个溅镀源
射频, 直流或脉冲直流, 分别用于非导电与导电靶材
精准流量控制器（最多4条气体管线）
基板可加热到 1000°C
基材到靶材之间距为可调节的
每个溅镀源和基板均安装遮板
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溅镀腔中, 在载台部分可独立施打偏压, 对其基板进行清洁与增加材料的附着性等功能.
安装美国 KRi 离子源: 上海伯东代理美国 KRi 离子源可用于基板清洁和加速镀膜材料的溅射速率, 并且离子源在材料沉积过程中可帮助沉积并使沉积后的薄膜更为致密.
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磁控溅镀设备基本参数
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系统类型
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Real 超高真空
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超高真空
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高真空
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紧凑型高真空
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极限真空
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5X10-10 Torr
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5X10-9 Torr
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3X10-7 Torr
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5X10-7 Torr
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腔室密封
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全部 CF(烘烤)
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一些密封圈(烘烤)
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全部密封圈
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全部密封圈
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电子枪
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3-4, 2-3 英寸
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3-4, 2-4 英寸
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3-4, 2-4 英寸
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3-4, 2-3 英寸
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电源
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DC / DC pulse / RF
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DC / DC pulse / RF
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DC / DC pulse / RF
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DC / DC pulse / RF
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Load-lock
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标准(HV)
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标准(HV)
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标准(HV)/可选
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标准(HV)/可选
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基板
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4-6 英寸
加热至 800°C或水冷
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4-8 英寸
加热至 800°C或水冷
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4-8 英寸
加热至 800°C
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4-6 英寸
加热至 800°C
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真空泵
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低温泵
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低温泵 / 分子泵
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分子泵
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分子泵
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监控
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真空规和Baratron
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真空规和Baratron
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真空规和Baratron
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真空规和Baratron
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工艺控制
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部分 / 3位 /手动闸阀
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部分 / 3位 /手动闸阀
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部分 / 3位 /手动闸阀
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部分 / 3位 /手动闸阀
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气体
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氩气, 氮气, 氧气(load-lock可选)
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氩气, 氮气, 氧气(load-lock可选)
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氩气, 氮气, 氧气
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氩气, 氮气, 氧气
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射频偏压清洁
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300W RF(清洁和蚀刻)
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300W RF(清洁和蚀刻)
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可选
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可选
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离子源
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100 KRi 离子源
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100 KRi 离子源
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可选
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可选
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薄膜
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钛氮化铌NbTiN, 铌 Nb, 钯Pd等
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钛氮化铌NbTiN, 铌 Nb, 钯Pd等
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二氧化硅 SiO2, 氮化硅 Si3N4, 氧化铝Al2O3 等
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二氧化硅 SiO2, 氮化硅 Si3N4, 氧化铝Al2O3 等
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腔体
客制化的腔体尺寸取决于基板尺寸和其应用
宽大的前开式门, 并有两个窗口和窗口遮版, 用于观察基材和溅镀源
具有显示功能的全量程真空计和用于压力控制的 Baratron 真空计
腔体的极限真空度约 10-8 Torr
选件
可以与传送腔, 机械手臂和手套箱整合在一起
结合离子源, 热蒸发源, 电子束...等等
基板射频或直流偏压
膜厚监测仪
射频等离子清洁用于基材
OES, RGA 或制程监控的额外备用端口
应用领域
半导体类, 纳米科技
产品质量控制和质量检查
氧化物, 氮化物和金属材料的研究
太阳能电池
光学研究, 材料研究
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