Hakuto 日本原装设计制造离子刻蚀机 IBE, 提供微米级刻蚀, 满足所有材料的刻蚀, 适用于 MR 薄膜磁头, 自旋电子学, 应力传感器, 射频滤波器, 超导体, 复合半导体材料的刻蚀. 即使对磁性材料, 黄金 Au, 铂 Pt, 合金等金属及复合半导体材料, 这些难刻蚀的材料也能提供最优蚀刻. 可用于反应离子刻蚀 RIE 不能很好刻蚀的材料.
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Hakuto 离子蚀刻机 10IBE
上海伯东日本原装进口适合小规模量产使用和实验室研究的 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE.
蚀刻均匀性: ±5%, 硅 Si 刻蚀速率≥20 nm/min, 样品台: 直接冷却（水冷）0~±90 度旋转.
Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 内部使用美国 KRI 考夫曼离子源产生轰击离子;
终点检出器采用 Pfeiffer 残余气体质谱分析仪监测当前气体成分, 判断刻蚀情况.
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Hakuto 离子蚀刻机 IBE
上海伯东日本原装进口离子蚀刻机 IBE 包含小型离子蚀刻机用于研究分析和大型离子蚀刻系统用于生产制造. Hakuto 离子蚀刻系统对磁性材料, 黄金, 铂和合金金属提供较佳蚀刻技术. 它很容易做各种材料的蚀刻.
上海伯东是日本伯东 Hakuto 离子蚀刻机 IBE 中国总代理
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Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J
上海伯东日本原装进口适合大规模量产使用的 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J, 无论使用什么材料都可以用来加工.
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 配置使用美国 KRI Φ20cm 考夫曼离子源, 蚀刻均匀性: ±5%, 硅片 Si 刻蚀速率≥20 nm/min, 样品台: 直接冷却(水冷), 0~±90 度旋转, 因此射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等加工形状.
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Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C
上海伯东日本原装进口适合中等规模量产使用的 Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C. 无论使用什么材料都可以用来加工.
蚀刻均匀性: ±5%, 硅片 Si 刻蚀速率 ≥ 20 nm/min, 样品台可选直接冷却 / 间接冷却, 0~±90度旋转, 因此射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等加工形状.
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Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE
上海伯东日本原装进口小型 Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE, 适用于科研院所, 实验室研究, 干式制程的微细加工装置, 特别适用于磁性材料, 金, 铂及各种合金的铣削加工.
Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 配置使用美国 KRI Φ8cm 考夫曼离子源, 蚀刻均匀性: ±5%, 硅片 Si 刻蚀速率 ≥20 nm/min, 样品台: 直接冷却(水冷), 0~±90度旋转, 因此射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等加工形状.
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Hakuto 全自动离子蚀刻机 MEL3100
Hakuto 全自动离子蚀刻机 MEL3100 具有良好的均匀性和高蚀刻率, 刻蚀均匀度: ±5%, 硅片 Si 蚀刻速率 >10 nm/min, 具有高冷却效果.
所有流程全自动减少人工操作, 从而保证了产品的无差错、高稳定性和高质量.
占用空间小, 容易维护和用户操作友好.
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