Hakuto 离子蚀刻机 10IBE

Ion Beam Milling System 10IBE

产品描述

上海伯东日本原装进口适合小规模量产使用和实验室研究的 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE.

蚀刻均匀性: ±5%, 硅 Si 刻蚀速率≥20 nm/min, 样品台: 直接冷却(水冷)0~±90 度旋转.

Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 内部使用美国 KRI 考夫曼离子源产生轰击离子;

终点检出器采用 Pfeiffer 残余气体质谱分析仪监测当前气体成分, 判断刻蚀情况.

  • 产品优势
  • 技术参数
  • 组成
  • 蚀刻速率
  • Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 产品优势:

    Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 主要优点
    1. 干式制程的微细加工装置, 使得在薄膜磁头, 半导体元件, MR sensor 等领域的开发研究及量产得以广泛应用.
    2. 物理蚀刻的特性, 无论使用什么材料都可以用来加工, 所以各种领域都可以被广泛应用.
    3. 配置使用美国考夫曼离子源.
    4. 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状.
    5. 基板直接加装在直接冷却装置上, 所以可以在低温环境下蚀刻.
    6. 配置公转自转传输机构, 使得被蚀刻物可以得到比较均匀平滑的表面.
    7. 机台设计使用自动化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生产过程.

  • Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 技术参数:

    Hakuto 离子蚀刻机 10IBE技术参数:

    基板尺寸

    < Ф8 X 1wfr

     NS 离子刻蚀机检测器可选

    样品台

    直接冷却(水冷)0~±90 度旋转

    离子源

    4 cm,8cm,10cm,16cm
    考夫曼离子源

    均匀性

    ±5% for 4”Ф

    硅片刻蚀速率

    ≥20 nm/min

    温度

    <100

     

  • Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 组成:

    Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 组成:
    NS 离子刻蚀机

  • Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 蚀刻速率:

     

    Hakuto 离子蚀刻机通氩气 Ar 不同材料的蚀刻速率:
    NS 离子蚀刻机

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邮箱: marketing@hakuto-vacuum.cn
地址: 上海市浦东新区新金桥路1888号36号楼7楼702室 201206

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