美国 KRI 射频离子源 RFICP 40

Ion source Gridded RFICP 40

产品描述

上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 射频离子源 RFICP 40, 离子束可选聚焦/ 平行/ 散射.

KRI 射频离子源 RFICP 40 属于大面积射频离子源, 离子束流: >100 mA; 离子动能: 100-1200 V; 中和器: LFN 2000; 流量 (Typical flow): 3-10 sccm.

采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长.

离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装.

适用于集成在小型的真空腔体内.

  • 产品特性
  • 技术参数
  • 应用领域
  • 应用案例
  • 美国 KRI 射频离子源 RFICP 40 产品特性:

    伯东 KRI 射频离子源 RFICP 40 特性:

    1. 离子源放电腔 Discharge Chamber, 无需电离灯丝, 通过射频技术提供高密度离子, 工艺时间更长.

    2. 离子源结构模块化设计, 使用更简单; 基座可调节, 有效优化蚀刻率和均匀性.

    3. 提供聚焦, 发散, 平行的离子束

    4. 离子源自动调节技术保障栅极的使用寿命和可重复的工艺运行

    5. 栅极材质钼和石墨,坚固耐用

    6. 离子源中和器 Neutralizer, 测量和控制电子发射,确保电荷中性

  • 美国 KRI 射频离子源 RFICP 40 技术参数:

    KRI 射频离子源 RFICP 40 技术参数:

    离子源型号

    RFICP 40

    Discharge

    RFICP 射频

    离子束流

    >100 mA

    离子动能

    100-1200 V

    栅极直径

    4 cm Φ

    离子束

    聚焦, 平行, 散射

    流量

    3-10 sccm

    通气

    Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

    典型压力

    < 0.5m Torr

    长度

    12.7 cm

    直径

    13.5 cm

    中和器

    LFN 2000

    * 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量

  • 美国 KRI 射频离子源 RFICP 40 应用领域:

    伯东KRI 射频离子源 RFICP 40 应用领域:

    1. 预清洗

    2. 表面改性

    3. 辅助镀膜(光学镀膜)IBAD,

    4. 溅镀和蒸发镀膜 PC

    5. 离子溅射沉积和多层结构 IBSD

    6. 离子蚀刻 IBE

  • 美国 KRI 射频离子源 RFICP 40 应用案例:

    KRI 射频离子源相关应用案例:

     

    1. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP 应用于离子刻蚀 IBE

    2. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP 325 辅助 LED-DBR 镀膜

    3. 伯东 KRI 离子源成功应用于离子溅射镀膜 (IBSD)

     

    点击查看更多离子源应用案例》》》

CONTACT

您好, 我们的联络方式:
电话: +86-21-5046-1322
地址: 上海市浦东新区新金桥路1888号36号楼7楼702室 201206

PRODUCTS 产品菜单

查看其他产品

最近浏览过的页面

在线谘询

谘询

电话

微信

TOP