-
KRI 考夫曼离子源 RFICP 40
-
KRI 考夫曼离子源 RFICP 40
产品描述
上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 射频离子源 RFICP 40, 离子束可选聚焦/ 平行/ 散射.
KRI 射频离子源 RFICP 40 属于大面积射频离子源, 离子束流: >100 mA; 离子动能: 100-1200 V; 中和器: LFN 2000; 流量 (Typical flow): 3-10 sccm.
采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长.
离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装.
适用于集成在小型的真空腔体内.
-
美国 KRI 射频离子源 RFICP 40 产品特性：
伯东 KRI 射频离子源 RFICP 40 特性:
1. 离子源放电腔 Discharge Chamber, 无需电离灯丝, 通过射频技术提供高密度离子, 工艺时间更长.
2. 离子源结构模块化设计, 使用更简单; 基座可调节, 有效优化蚀刻率和均匀性.
3. 提供聚焦, 发散, 平行的离子束
4. 离子源自动调节技术保障栅极的使用寿命和可重复的工艺运行
5. 栅极材质钼和石墨,坚固耐用
6. 离子源中和器 Neutralizer, 测量和控制电子发射,确保电荷中性
-
美国 KRI 射频离子源 RFICP 40 技术参数：
KRI 射频离子源 RFICP 40 技术参数:
|
离子源型号
|
RFICP 40
|
|
Discharge
|
RFICP 射频
|
|
离子束流
|
>100 mA
|
|
离子动能
|
100-1200 V
|
|
栅极直径
|
4 cm Φ
|
|
离子束
|
聚焦, 平行, 散射
|
|
流量
|
3-10 sccm
|
|
通气
|
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
|
|
典型压力
|
< 0.5m Torr
|
|
长度
|
12.7 cm
|
|
直径
|
13.5 cm
|
|
中和器
|
LFN 2000
|
* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量
-
美国 KRI 射频离子源 RFICP 40 应用领域：
伯东KRI 射频离子源 RFICP 40 应用领域：
1. 预清洗
2. 表面改性
3. 辅助镀膜(光学镀膜)IBAD,
4. 溅镀和蒸发镀膜 PC
5. 离子溅射沉积和多层结构 IBSD
6. 离子蚀刻 IBE
-
美国 KRI 射频离子源 RFICP 40 应用案例：
KRI 射频离子源相关应用案例:
1. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP 应用于离子刻蚀 IBE
2. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP 325 辅助 LED-DBR 镀膜
3. 伯东 KRI 离子源成功应用于离子溅射镀膜 (IBSD)
点击查看更多离子源应用案例》》》
