在2016年, 美国航空航天局认可 KRI 创始人, 哈罗德·考夫曼博士, 作为离子推进的开拓者通过表彰他感应进入名人堂的格伦研究中心大厅.
KRI 考夫曼公司为全球的高科技工业家, 真空系统OEM和研究机构提供先进的解决方案, 通过授权客户运送了超过3500多个 KRI 离子源, 包括 KRI 霍尔型离子源 Gridless (无栅网离子源)/ KRI 考夫曼离子源 Gridded KDC(栅网离子源)/ KRI 射频离子源 Gridded RFICP(栅网离子源), 及离子源中和器/ 离子源灯丝/ 离子源控制器/ 离子源中空阴极等
KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.
KRI 离子源是领域公认的领导者, 已获得许多专利. KRI 离子源已应用于许多已成为行业标准的过程中.
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美国 KRI 射频离子源 RFICP 380
上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 离子源, 100%原厂原装进口.
KRI 射频离子源 RFICP 380 属于大面积射频离子源 (栅网离子源), 离子束流: >1500 mA; 离子动能: 100-1200 V; 中和器: LFN 2000.
离子束可聚焦, 平行, 散射.
采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长.
离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装.
通入气体可选 Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, others.
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美国 KRI 射频离子源 RFICP 系列
上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 射频离子源, 离子束可选聚焦, 平行, 散射.
离子束流: >100 mA~1500mA; 离子动能: 100-1200 V; 中和器: LFN 2000.
采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长, 更适合时间长的工艺要求. 提供高密度离子束, 满足高工艺需求.
离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装.
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美国 KRI 射频离子源 RFICP 220
上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 射频离子源 RFICP 220, 大面积高能量栅网离子源.
离子束流: >800 mA; 离子动能: 100-1200 V; 中和器: LFN 2000; 流量(Typical flow): 10-40 sccm; 压力: < 0.5m Torr
离子束可选聚焦, 平行, 散射.
采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长.
通入气体可选 Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, others.
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美国 KRI 考夫曼离子源 Gridded KDC 系列
上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 考夫曼离子源 KDC 系列. 属于栅网离子源, 离子束可选聚焦/ 平行/ 散射.
离子束流: >10 mA~650 mA; 离子动能: 100-1200 V; 中和器: 灯丝.
加热灯丝产生电子, 增强设计输出高质量, 稳定的电子流.
离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装.
通入气体可选 Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, others.
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美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 160
上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 考夫曼离子源 KDC 160. 离子束可选聚焦/ 平行/ 散射. 适用于已知的所有离子源应用.
| 离子源型号 |
Discharge |
离子束流 |
离子动能 |
离子束 |
流量 |
典型压力 |
中和器 |
栅极直径 |
长度 |
直径 |
通气 |
| 离子源 KDC 160 |
DC 热离子 |
>650 mA |
100-1200 V |
聚焦, 平行, 散射 |
2-30 sccm |
< 0.5m Torr |
灯丝 |
16 cm Φ |
25.2 cm |
23.2 cm |
Ar, Kr, Xe,
O2, N2, H2, 其他
|
* 可选: 可调角度的支架
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美国 KRI 霍尔离子源 eH 3000
上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 霍尔离子源 eH 3000 最适合大型真空系统, 与友厂大功率离子源对比, 霍尔离子源 eH 3000 是目前市场上最高效, 提供最高离子束流的无栅网离子源.
尺寸: 直径= 9.7“ 高= 6”
放电电压 / 电流: 50-300V / 20A
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体
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美国 KRI 霍尔离子源 eH 2000
上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 霍尔离子源 eH 2000 特别适合大中型真空系统, 带有水冷方式, 低成本设计提供高离子电流. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”
放电电压 / 电流: 50-300V / 10A 或 15A
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体
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美国 KRI 霍尔离子源 eH 1000
上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 霍尔离子源 eH 1000 气体高效利用, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合中型真空系统. 属于无栅网离子源. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”
放电电压 / 电流: 50-300V / 10A
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体
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美国 KRI 霍尔离子源 eH 400
上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 霍尔离子源 eH 400 低成本设计提供高离子电流, 霍尔离子源 eH 400 尺寸和离子能量特别适合中小型的真空系统, 可以控制较低的离子能量, 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
尺寸: 直径= 3.7“ 高= 3”
放电电压 / 电流: 50-300eV / 5a
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体
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