上海伯东代理各类电子束蒸镀, 溅射镀膜机, 蒸发镀膜机, ALD, PEALD, PECVD, OLED, MBE, E-beam 等设备, 满足研发和工业生产的高质量薄膜要求,
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有机材料热蒸镀设备 Organic material
客制化的基板尺寸, 最大直径为12寸晶圆或 470 x 370 mm2 (玻璃)
优异的薄膜均匀度小于±3%
用 CCD 对位将玻璃基板和屏蔽的位置对准在 ±5μm以内
用于有机材料的蒸发源（可用金属、陶瓷、石墨或PBN坩埚）
镀率自动控制: 最小值为 0.01Ǻ/s
蒸发源温度控制可达到精度 ±0.1oC
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金属热蒸镀设备 Metal Thermal
客制化的基板尺寸, 最大直径为 12寸晶圆或 470 x 370 mm2 (玻璃)
优异的薄膜均匀度小于±3％
基板可加热到 800°C
腔体的极限真空度约为 10-8 Torr
利用载台旋转来改善薄膜沉积之质量
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磁控溅镀设备 FPD-PVD
客制化基板尺寸最大为 550 x 650 mm2 (玻璃)
薄膜均匀度小于±5％
稳定的温度控制, 可将基板加热到 400°C
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连续式多腔磁控溅镀设备 In-Line Sputter
客制化基板尺寸最大为 1100 x 1300 mm2 （玻璃）
薄膜均匀度小于 ±5％
高沉积速率 ≥ 250nm/min 和高效率阴极
稳定的温度控制, 可将基板加热到 400°C
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多层膜磁控溅镀设备 Multilayer Sputter
客制化基板尺寸, 最大直径可达 12寸晶圆
薄膜均匀度小于 ±3％
磁控溅镀源（最多6个源）, 靶材尺寸多种可选
基板可加热到 600°C
腔体的极限真空度约 10-8 Torr
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超高真空磁控溅镀设备 UHV Sputter
客制化基板尺寸, 最大直径可达 12寸晶圆
薄膜均匀度小于±3％
磁控溅镀源 (最多8个源), 具有多种可选的靶材尺寸
基板可加热到 1000°C
腔体的极限真空度约 10-10 Torr
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磁控共溅镀设备 Co-Sputter
客制化基板尺寸, 最大直径可达 12寸晶圆
薄膜均匀度小于 ±3％
磁控溅镀源 (最多8个源), 具有多种可选的靶材尺寸
基板可加热到 1000°C
适用于氧化物, 氮化物和金属材料的研究
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剥离成形电子束蒸镀设备 Lift-Off E-beam Evaporation System
客制化的基板尺寸, 最大直径可达 12寸晶圆
薄膜均匀度 小于±3％
腔体的极限真空度约为 10-8 Torr
适用于 Lift-Off 制程
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超高真空电子束蒸镀设备 UHV E-beam Evaporation System
客制化的基板尺寸, 最大直径可达 8寸晶圆
薄膜均匀度小于 ±3％
腔体的极限真空度约为 10-10 Torr
腔体为使用金属密封圈并可烘烤至 150°C
适用于光学材料研究 ( LED / Laser Diode ), 光电元件, 半导体元件
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