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美国 KRI 射频离子源 RFICP 380
上海伯东美国 KRi 大口径射频离子源 RFICP 380, 3层栅极设计, 栅极口径 38cm, 提供离子动能 100-1200eV 宽束离子束, 最大离子束流 > 1000mA, 满足 300 mm (12英寸)晶圆应用.
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美国 KRI 射频离子源 RFICP 220
上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 射频离子源 RFICP 220, 大面积高能量栅网离子源.
离子束流: >800 mA; 离子动能: 100-1200 V; 中和器: LFN 2000; 流量(Typical flow): 10-40 sccm; 压力: < 0.5m Torr
离子束可选聚焦, 平行, 散射.
采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长.
通入气体可选 Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, others.
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美国 KRI 射频离子源 RFICP 140
伯东 KRI 射频离子源 RFICP 140 离子束可选聚焦, 平行, 散射
| 型号 |
Discharge |
离子束流 |
离子动能 |
离子束 |
流量 |
典型压力 |
中和器 |
栅极直径 |
长度 |
直径 |
通气 |
| RFICP 140 |
RFICP 射频 |
>600 mA |
100-1200 V |
聚焦, 平行, 散射 |
5-30 sccm |
< 0.5m Torr |
LFN 2000 |
14 cm Φ |
24.6 cm |
24.6 cm |
Ar, Kr, Xe, O2,
N2, H2, 其他
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美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 160
上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 考夫曼离子源 KDC 160. 离子束可选聚焦/ 平行/ 散射. 适用于已知的所有离子源应用.
| 离子源型号 |
Discharge |
离子束流 |
离子动能 |
离子束 |
流量 |
典型压力 |
中和器 |
栅极直径 |
长度 |
直径 |
通气 |
| 离子源 KDC 160 |
DC 热离子 |
>650 mA |
100-1200 V |
聚焦, 平行, 散射 |
2-30 sccm |
< 0.5m Torr |
灯丝 |
16 cm Φ |
25.2 cm |
23.2 cm |
Ar, Kr, Xe,
O2, N2, H2, 其他
|
* 可选: 可调角度的支架
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美国 KRI 霍尔离子源 eH 3000
上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 霍尔离子源 eH 3000 最适合大型真空系统, 与友厂大功率离子源对比, 霍尔离子源 eH 3000 是目前市场上最高效, 提供最高离子束流的无栅网离子源.
尺寸: 直径= 9.7“ 高= 6”
放电电压 / 电流: 50-300V / 20A
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体
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美国 KRI 霍尔离子源 eH 400
上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 霍尔离子源 eH 400 低成本设计提供高离子电流, 霍尔离子源 eH 400 尺寸和离子能量特别适合中小型的真空系统, 可以控制较低的离子能量, 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
尺寸: 直径= 3.7“ 高= 3”
放电电压 / 电流: 50-300eV / 5a
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体
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美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 75
上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 考夫曼离子源 KDC 75, 紧凑栅网离子源, 离子束可选聚焦/ 平行/ 散射.
| 离子源型号 |
Discharge |
离子束流 |
离子动能 |
离子束 |
流量 |
典型压力 |
中和器 |
栅极直径 |
长度 |
直径 |
通气 |
| 离子源 KDC 75 |
DC 热离子 |
>250 mA |
100-1200 V |
聚焦, 平行, 散射 |
2-15 sccm |
< 0.5m Torr |
灯丝 |
7.5 cm Φ |
20.1 cm |
14 cm |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
* 可选: 一个阴极灯丝; 可调角度的支架
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KRI 直流 (DC) 溅射电源
上海伯东代理美国 KRI 考夫曼离子源直流溅射电源, 它是一款专为标准磁控溅射工艺设计的高性能电源。它采用业界领先的1U超薄设计，在节省宝贵机架空间的同时，提供高达1500W的稳定功率输出。该电源以其卓越的电弧管理能力为核心优势，能有效保护靶材与基片，确保工艺的稳定性和薄膜质量，尤其适合金属、合金等导电材料的溅射沉积。
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KRI 脉冲直流溅射电源
上海伯东代理 美国KRI 脉冲直流溅射电源, 是一款单输出、3000瓦的高性能电源，专为脉冲直流 与直流磁控溅射 工艺而设计。该电源能为磁控溅射靶材提供稳定可靠的动力，完美适用于对工艺控制要求极高的反应性溅射 与非反应性溅射 过程
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