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Hakuto Genius 四极杆质谱仪

项目	内容
产品名称	Hakuto Genius 质谱仪
技术平台	高性能四极杆质谱(QMS)
质量范围	1-100/200/300 amu（可选）
分析器类型	四极杆质量分析器
定制化支持	支持按需定制

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Hakuto 离子蚀刻机 10IBE | 上海伯东

上海伯东日本原装进口适合小规模量产使用和实验室研究的 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE.

蚀刻均匀性: ±5%, 硅 Si 刻蚀速率≥20 nm/min, 样品台: 直接冷却（水冷）0~±90 度旋转.

Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 内部使用美国 KRI 考夫曼离子源产生轰击离子;

终点检出器采用 Pfeiffer 残余气体质谱分析仪监测当前气体成分, 判断刻蚀情况.

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Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C | 上海伯东

上海伯东日本原装进口适合中等规模量产使用的 Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C. 无论使用什么材料都可以用来加工.

蚀刻均匀性: ±5%, 硅片 Si 刻蚀速率 ≥ 20 nm/min, 样品台可选直接冷却 / 间接冷却, 0~±90度旋转, 因此射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等加工形状.

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Hakuto 离子蚀刻机 IBE | 上海伯东

上海伯东日本原装进口离子蚀刻机 IBE 包含小型离子蚀刻机用于研究分析和大型离子蚀刻系统用于生产制造. Hakuto 离子蚀刻系统对磁性材料, 黄金, 铂和合金金属提供较佳蚀刻技术. 它很容易做各种材料的蚀刻.

上海伯东是日本伯东 Hakuto 离子蚀刻机 IBE 中国总代理

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美国 KRI 射频离子源 RFICP 380

上海伯东美国 KRi 大口径射频离子源 RFICP 380, 3层栅极设计, 栅极口径 38cm, 提供离子动能 100-1200eV 宽束离子束, 最大离子束流 > 1000mA, 满足 300 mm (12英寸)晶圆应用.

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美国 KRI 射频离子源 RFICP 系列

上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 射频离子源, 离子束可选聚焦, 平行, 散射.

离子束流: >100 mA~1500mA; 离子动能: 100-1200 V; 中和器: LFN 2000.

采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长, 更适合时间长的工艺要求. 提供高密度离子束, 满足高工艺需求.

离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装.

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美国 KRI 射频离子源 RFICP 220

上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 射频离子源 RFICP 220, 大面积高能量栅网离子源.

离子束流: >800 mA; 离子动能: 100-1200 V; 中和器: LFN 2000; 流量(Typical flow): 10-40 sccm; 压力: < 0.5m Torr

离子束可选聚焦, 平行, 散射.

采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长.

通入气体可选 Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, others.

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美国 KRI 射频离子源 RFICP 140

伯东 KRI 射频离子源 RFICP 140 离子束可选聚焦, 平行, 散射

型号

Discharge

离子束流

离子动能

离子束

流量

典型压力

中和器

栅极直径

长度

直径

通气

RFICP 140

RFICP 射频

>600 mA

100-1200 V

聚焦, 平行, 散射

5-30 sccm

< 0.5m Torr

LFN 2000

14 cm Φ

24.6 cm

Ar, Kr, Xe, O2,

N2, H2, 其他

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美国 KRI 考夫曼离子源 Gridded KDC 系列

上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 考夫曼离子源 KDC 系列. 属于栅网离子源, 离子束可选聚焦/ 平行/ 散射.

离子束流: >10 mA~650 mA; 离子动能: 100-1200 V; 中和器: 灯丝.

加热灯丝产生电子, 增强设计输出高质量, 稳定的电子流.

离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装.

通入气体可选 Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, others.

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