Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J

产品描述

上海伯东日本原装进口适合大规模量产使用的 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J, 无论使用什么材料都可以用来加工.

Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 配置使用美国 KRI Φ20cm 考夫曼离子源, 蚀刻均匀性: ±5%, 硅片 Si 刻蚀速率≥20 nm/min, 样品台: 直接冷却(水冷), 0~±90 度旋转, 因此射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等加工形状.

  • 产品优势
  • 技术参数
  • 蚀刻速率
  • 应用案例
  • Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 产品优势:

    Hakuto 离子蚀刻机主要优点:

    1. 干式制程的微细加工装置, 使得在薄膜磁头, 半导体元件, MR sensor 等领域的开发研究及量产得以广泛应用.

    2. 物理蚀刻的特性, 无论使用什么材料都可以用来加工, 所以各种领域都可以被广泛应用.

    3. 配置使用美国考夫曼离子源

    4. 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状.

    5. 基板直接加装在直接冷却装置上, 所以可以在低温环境下蚀刻.

    6. 配置公转自转传输机构, 使得被蚀刻物可以得到比较均匀平滑的表面.

    7. 机台设计使用自动化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生产过程.

  • Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 技术参数:

    Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J技术参数

    离子蚀刻

    Φ4 inch X 12片

    基片尺寸

    Φ4 inch X 12片
    Φ5 inch X 10片
    Φ6 inch X 8片

    蚀刻均匀性 ±5%
    硅片 Si 刻蚀速率 ≥20 nm/min

    样品台

    直接冷却,水冷

    样品台旋转度 0~±90 度旋转

    离子源

    Φ20cm 考夫曼离子源

     

  • Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 蚀刻速率:

     

    Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 通氩气 Ar 不同材料的蚀刻速率:
    NS离子蚀刻机

  • Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 应用案例:

    Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 应用案例:

    1. Hakuto 离子蚀刻机 20IBE 去除印刷电路板污染物

    2. Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 应用于硬盘 GMR 磁头

    点击查看更多离子蚀刻机应用案例》》》

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