hakuto 离子刻蚀机 10IBE 刻蚀衍射光学元件提高均匀度
北京某实验室采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE刻蚀衍射光学元件.
Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 技术参数:
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基板尺寸
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< Ф8 X 1wfr
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样品台
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直接冷却（水冷）0-90 度旋转
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离子源
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16cm 考夫曼离子源
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均匀性
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±5% for 4”Ф
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硅片刻蚀率
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20 nm/min
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温度
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<100
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Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 160
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伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC160 技术参数：
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离子源型号
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离子源 KDC 160
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Discharge
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DC 热离子
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离子束流
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>650 mA
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离子动能
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100-1200 V
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栅极直径
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16 cm Φ
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离子束
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聚焦, 平行, 散射
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流量
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2-30 sccm
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通气
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Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
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典型压力
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< 0.5m Torr
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中和器
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灯丝
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Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 真空腔采用 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 · 10-7 hpa, 良好的保持真空腔的真空度.
采用 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 刻蚀可提高衍射光学元件表面的均匀性.
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