Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 用于陶瓷基片银薄膜减薄
某陶瓷基片制造商采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 应用于 5G 陶瓷基片银薄膜减薄, 通过蚀刻工艺把基片涂层银薄膜刻蚀减薄, 并降低工差, 提高薄膜均匀性.
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 技术参数
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Φ4 inch X 12片
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基片尺寸
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Φ4 inch X 12片
Φ5 inch X 10片
Φ6 inch X 8片
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均匀性
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±5%
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硅片刻蚀率
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20 nm/min
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样品台
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直接冷却,水冷
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离子源
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Φ20cm 考夫曼离子源
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Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220
伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:
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离子源型号
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RFICP 220
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Discharge
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RFICP 射频
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离子束流
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>800 mA
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离子动能
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100-1200 V
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栅极直径
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20 cm Φ
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离子束
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聚焦, 平行, 散射
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流量
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10-40 sccm
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通气
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Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
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典型压力
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< 0.5m Torr
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中和器
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LFN 2000
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推荐 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 理由:
1. 客户要求规模化生产, Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 适合大规模量产使用
2. 刻蚀均匀性 5%, 满足客户要求
3. 硅片刻蚀率 20 nm/min
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上海伯东 : 罗先生 台湾伯东 : 王小姐
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