KRI 考夫曼离子源应用案例发布日期:2021-03-01

KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 制备 IFBA 芯块 ZrB2 涂层


某科研机构在 IFBA 芯块 ZrB2 涂层研究中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380  辅助镀膜设备溅射沉积 ZrB2 涂层.

 

KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:

射频离子源型号

RFICP380

Discharge 阳极

射频 RFICP

离子束流

>1500 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

30 cm Φ

离子束

聚焦平行散射

流量

15-50 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

39 cm

直径

59 cm

中和器

LFN 2000

 

 

研究利用金相显微镜、扫描电子显微镜、X射线衍射仪、电感耦合等离子体发射光谱仪、胶带粘附性剥离等方法测定了沉积 ZrB2 涂层的厚度、形貌、物相结构、成分、附着力以及沉积速率等性能参数, 研究了各溅射工艺条件如芯块表面清洁度、溅射气体压力、溅射功率密度和转鼓转速对ZrB 涂层沉积率和附着力的影响.

 

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

 

若您需要进一步的了解详细信息或讨论,  请参考以下联络方式:

上海伯东罗先生                               台湾伯东王女士
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
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