1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
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霍尔离子源 射频离子源 考夫曼离子源 离子源自动控制器
KRI 霍尔型离子源 Gridless 属于无栅网离子源, 可选聚焦型霍尔离子源, 平行型霍尔离子源, 散射型霍尔离子源.
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美国 KRI 霍尔离子源 eH 3000
上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 霍尔离子源 eH 3000 最适合大型真空系统, 与友厂大功率离子源对比, 霍尔离子源 eH 3000 是目前市场上最高效, 提供最高离子束流的无栅网离子源.
尺寸: 直径= 9.7“ 高= 6”
放电电压 / 电流: 50-300V / 20A
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体
产品详细资料
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美国 KRI 霍尔离子源 eH 400
上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 霍尔离子源 eH 400 低成本设计提供高离子电流, 霍尔离子源 eH 400 尺寸和离子能量特别适合中小型的真空系统, 可以控制较低的离子能量, 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
尺寸: 直径= 3.7“ 高= 3”
放电电压 / 电流: 50-300eV / 5a
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体
产品详细资料
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美国 KRI 霍尔离子源 eH 2000
上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 霍尔离子源 eH 2000 特别适合大中型真空系统, 带有水冷方式, 低成本设计提供高离子电流. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”
放电电压 / 电流: 50-300V / 10A 或 15A
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体
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美国 KRI 霍尔离子源 eH 1000
上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 霍尔离子源 eH 1000 气体高效利用, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合中型真空系统. 属于无栅网离子源. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”
放电电压 / 电流: 50-300V / 10A
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体
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美国 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列
上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 霍尔离子源 eH 系列属于宽束型离子源, 散射角度>45°.
霍尔离子源气体流量可选 2-25sccm/ 2-50sccm/ 2-50sccm/ 2-75sccm/ 5-100sccm 等不同级别.
霍尔离子源电流可选 5A/ 10A/ 12A/ 15A/ 20A 等.
霍尔离子源高浓度提高镀膜沉积速率, 低动能减少离子轰击损伤表面, 宽束设计有效提高吞吐量和覆盖沉积区.
整体易操作, 易维护. 霍尔离子源 eH 提供一套完整的方案包含离子源, 电子中和器, 电源供应器, 流量控制器 MFC 等等.
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美国 KRI 线性霍尔离子源 eH Linear
上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 线性离子源.
KRI 线性离子源使用标准的端部霍尔模组并使设备的需求简化, 一个低成本, 高电流和低能量的离子束可以很好的使用于 web 涂层, in-line 沉积和圆柱旋转溅射系统.
尺寸: 直径= 3.7“ 高= 3”
放电电压 / 电流: 50-300eV / 5A
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体
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