上海伯东代理用于研发和工业生产的高品质薄膜设备, 产品组合包括手动溅射，溅射，电子束，热蒸发器，ALD，PEALD，RIE，PECVD和LPCVD，半自动化或全自动解决方案。
PVD 是一种使用物理机制执行薄膜沉积而不涉及化学反应的制程技术。所谓物理机制是物质的相变现象，例如蒸发。蒸发材料由固体状态转变为气体状态。
CVD 作为化学气相沉积法，是将基板暴露于一种或多种挥发性气体中，在基板表面上反应或分解以产生所需薄膜沉积的过程。这种方法通常用于在真空环境中制造高质量，高性能的固体材料。因此，该工艺通常在半导体工业中用于制造薄膜。
ALD 用于薄膜沉积的原子层沉积是基于顺序使用气相化学过程的最重要技术之一；它可以被视为一种特殊类型的化学气相沉积（CVD）。多数ALD反应使用两种或更多种化学物质（称为前驱物，也称为“反应物”）。这些前驱物以一种连续的且自我限制的方式，一次与一种材料的表面反应。通过多个ALD循环，薄膜被缓慢沉积。 ALD为制造半导体元件的重要制程，并且是可用于合成纳米材料主要工具的一部分。
热蒸发制程是用于沉积材料中最简单的物理气相沉积 PVD. 将材料 (金属或者有机材料等) 置于真空环境中的电阻热源中, 使其加热并蒸发, 以最直接的方式蒸发到基板上, 然后在基板上凝结成固态形成薄膜. 热蒸发比溅镀提供更快的蒸发速率, 但是, 其容纳材料的舟或坩埚尺寸有限, 并且难以控制其蒸发速率, 该方法通常用于小规模同时控制多组电阻热源来沉积电极, 如单层薄膜或共蒸发薄膜.
上海伯东代理的热蒸镀设备可以精准的控制蒸发速度，且薄膜的厚度和均匀度小于+/- 3％, 使用美国 KRi离子源可用于基板清洁和加速材料的蒸发速度，并且离子源在材料沉积过程中可帮助沉积并使沉积后的薄膜更为致密.
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有机材料热蒸镀设备 Organic material
客制化的基板尺寸, 最大直径为12寸晶圆或 470 x 370 mm2 (玻璃)
优异的薄膜均匀度小于±3%
用 CCD 对位将玻璃基板和屏蔽的位置对准在 ±5μm以内
用于有机材料的蒸发源（可用金属、陶瓷、石墨或PBN坩埚）
镀率自动控制: 最小值为 0.01Ǻ/s
蒸发源温度控制可达到精度 ±0.1oC
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金属热蒸镀设备 Metal Thermal
客制化的基板尺寸, 最大直径为 12寸晶圆或 470 x 370 mm2 (玻璃)
优异的薄膜均匀度小于±3％
基板可加热到 800°C
腔体的极限真空度约为 10-8 Torr
利用载台旋转来改善薄膜沉积之质量
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