KRI 离子源中和器 LHC1000
KRI 离子源中和器 LHC1000 主要与 KRI 的 EH1000、EH2000、EH3000、EH5000 等系列的离子源配合使用。这意味着它可以为这些较大功率、较高性能的离子源提供有效的电荷中和功能,确保离子源在工作过程中不会因电荷积累而影响正常的工艺过程。例如,在离子束辅助镀膜、离子束刻蚀等工艺中,能够保证工艺的稳定性和准确性
参数 | 详情 |
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适配离子源 | EH1000、EH2000、EH3000、EH5000 等系列 |
电子发射特性 |
能够提供高效、稳定的电子发射, 以实现对离子源正离子束的有效中和 |
工作环境 | 适用于高真空、低气压等多种真空环境条件 |
安装方式 | 设计便于与真空设备和离子源系统集成安装 |
控制方式 |
具备一定的控制功能,可根据实际需求进行参数调整 (具体控制方式及精度等信息可能因具体应用和配套系统而异) |
广泛的应用场景:在半导体制造、光学镀膜、材料表面处理等高科技领域有着广泛的应用。
例如在半导体芯片制造过程中,可用于对晶圆表面进行预处理,提高镀膜的质量和附着力;在光学镀膜领域,能有效改善薄膜的光学性能和均匀性
1. 高效的电荷中和能力:能够快速、有效地提供大量的电子,以中和离子源产生的正离子束,从而维持离子束系统的电中性。这种高效的电荷中和能力可以减少离子束对设备和材料的静电损伤,提高工艺的稳定性和可靠性。
2. 稳定的性能输出:在不同的工作环境和工艺条件下,LHC1000 都能保持稳定的电子发射,确保中和效果的一致性。无论是在高真空、低气压的环境下,还是在复杂的气体氛围中,都能稳定工作,为离子源提供可靠的中和支持。
3. 易于集成和操作:其设计紧凑,便于与各种真空设备和离子源系统进行集成。同时,操作简单方便,用户可以轻松地将其安装到现有的生产设备中,并根据实际需求进行参数设置和调整。
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