KRI 离子源中和器 LFN2000
上海伯东 KRI 离子源中和器 LFN2000 是一种非浸没式电子源,安装在离子源的侧边。它在离子束加工过程中能够提供电子,有效中和离子束所带的正电荷,从而避免因离子束的电荷积累而对加工过程和材料产生不良影响,确保离子束加工的稳定性和准确性。
KRI 离子源中和器 LFN2000 比浸入式灯丝的工作时间要长得多, 适合时间长/ 高要求的工艺.
KRI 离子源中和器 LFN2000 安装非常适合高通量负载锁定平台, 在这种平台上, 不经常的舱室通风需要可靠和低维护的中和器. 当需要最终的维护任务时, LFN的模块化架构促进了插头和插座功能访问时快速和简单的步骤.
参数 | 详情 |
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安装方式 | 安装在离子源的侧边 |
电子发射特性 | 适用于较低发射电流的应用场景 |
工作环境 | 适用于多种离子束加工环境 |
与离子源的适配性 | 可与多种 KRI 离子源适配 |
控制方式 | 可精确控制电子发射量和能量(具体控制方式及精度等信息可能因具体应用和配套系统而异) |
适用范围广:其工作范围适合那些对发射电流要求较低的应用场景,可广泛应用于各种离子束相关的工艺和设备中,例如离子束溅射、离子束刻蚀、离子束辅助镀膜等工艺。
1. 稳定的性能:能够在不同的工作环境和工艺条件下保持稳定的电子发射,为离子束提供可靠的中和效果,确保加工过程的一致性和重复性。
2. 精确的控制:可以根据实际需求精确地控制电子的发射量和能量,满足不同工艺对中和效果的要求,提高工艺的精度和可控性。
3. 长寿命:采用高质量的材料和先进的制造工艺,具有较长的使用寿命,降低了设备的维护成本和停机时间。
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