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KRI 离子源中和器 MHC1000
产品描述
KRI 离子源中和器 MHC1000 通常与特定型号的离子源配合使用，比如与 EH200/400 等系列的离子源适配性良好。这意味着它能够针对这些离子源产生的离子束进行高效的电荷中和，确保整个离子束系统的稳定运行。在实际的应用场景中，例如半导体制造、光学镀膜等对工艺精度要求较高的领域，这种适配性能够保证离子源的性能得到充分发挥
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KRI 离子源中和器 MHC1000 技术参数：
| 参数 |
详情 |
| 适配离子源型号 |
EH200/400 等系列（具体适配范围可能因实际应用和配套系统有所不同） |
| 电子发射特性 |
能够快速、稳定地产生大量电子，以实现高效的电荷中和 |
| 工作气体环境 |
适用于惰性气体和反应性气体环境5 |
| 安装方式 |
可安装在离子源或真空系统的侧面5 |
| 控制方式 |
具备一定的电子发射控制功能，可根据实际需求进行调节
（具体控制方式及精度等信息可能因具体应用和配套系统而异）
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KRI 离子源中和器 MHC1000 产品应用：
应用场景广泛：在离子束辅助镀膜、离子束刻蚀、表面改性等多种工艺过程中都能发挥重要作用。无论是对材料表面进行预处理以提高镀膜的附着力，还是在刻蚀过程中精确控制刻蚀的深度和形状，MHC1000 都能为这些工艺提供可靠的电荷中和支持，从而提高工艺的质量和稳定性
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KRI 离子源中和器 MHC1000 产品优势：
1. 高效的电荷中和能力：能够快速地产生大量的电子，以中和离子源产生的正离子束，有效避免因电荷积累而导致的工艺问题。通过精确的电子发射控制，能够确保离子束系统始终保持电中性，从而提高离子束加工的精度和可靠性。
2. 灵活的安装和操作：其设计结构紧凑，重量相对较轻，可以灵活地安装在离子源或真空系统的侧面，方便与各种设备进行集成5。同时，操作简单方便，用户可以根据实际需求快速地进行安装和调试，降低了设备的使用门槛和维护成本。
3. 良好的气体适应性：可以在惰性气体和反应性气体环境下稳定工作，这使得它能够适应不同的工艺气体氛围，满足各种复杂工艺的需求。无论是在单纯的惰性气体环境下进行基础的离子束加工，还是在反应性气体环境下进行特殊的化学反应离子束工艺，MHC1000 都能保持良好的性能
