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KRI 线性霍尔离子源 eH Linear
产品描述
上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 线性离子源使用 eH 400 做为模组, 能应用于宽范围的衬底, 离子源长度高达 1 米, 通过严格调整模组间的距离可以实现最佳的均匀性和离子流. 由于模组是平行放置, 大大简化了气体, 功率和电子三者的分布.
KRI 线性离子源使用标准的端部霍尔模组并使设备的需求简化, 一个低成本, 高电流和低能量的离子束可以很好的使用于 web 涂层, in-line 沉积和圆柱旋转溅射系统.
尺寸: 直径= 3.7“ 高= 3”
放电电压 / 电流: 50-300eV / 5A
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体
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美国 KRI 线性霍尔离子源 eH Linear 产品优势：
1. 高电流低能量：高电流可以提高镀膜沉积速率，而低能量能够减少离子轰击对表面的损伤。
2. 宽束设计：提高了吞吐量和对沉积区的覆盖。
3. 纳米精度处理：可以以纳米精度来处理薄膜及表面，满足科研及工业、半导体等领域的应用需求。
4. 操作简便易维护：整体操作简单，并且易于维护
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美国 KRI 线性霍尔离子源 eH Linear 技术参数：
伯东KRI 霍尔离子源 eH Linear 技术参数：
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型号
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eHL400-2/ eHL400-3/ eHL400-4/ eHL400-5
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供电
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DC magnetic confinement
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- 电压
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40-200V VDC
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- 阳极结构
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模块化
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电源控制
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eHL-30010A
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配置
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- 阴极中和器
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Filamentless
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- 离子束发散角度
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> 45° (hwhm)
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- 阳极
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标准或 Grooved
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- 底座
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移动或快接法兰
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- 高度
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10 cm
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宽度
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10 cm
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- 长度
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~ 100cm
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-工艺气体
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Ar, Xe, Kr, O2, N2, Others
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Model
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eHL 200-3
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eHL 200-5
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Height (nominal)
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2.9” (7.4cm)
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2.9” (7.4cm)
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Width (nominal)
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3.3” (8.4cm)
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3.3” (8.4cm)
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Length (nominal)
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Determined by number of modules & application
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Determined by number of modules & application
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Cathode/Neutralizer
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Yes
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Yes
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Anode module
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Yes
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Yes
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Filamentless
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Yes
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Yes
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Orientation
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Vertical / Horizontal
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Vertical / Horizontal
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Process gases
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Inert, reactive, & organic
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Inert, reactive, & organic
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Power controller
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eH Plasma Power Pack
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eH Plasma Power Pack
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美国 KRI 线性霍尔离子源 eH Linear 应用案例：
KRI 霍尔离子源 Gridless eH 相关应用案例
广泛用于离子清洗、离子蚀刻、辅助镀膜、离子溅射镀膜等领域346。例如在光学领域辅助沉积镀制增透吸收膜，可获得良好的单质 Si 材料可见波段的吸收常数，并且离子源辅助沉积过程稳定，膜层致密性高：
1. 伯东 KRI 霍尔离子源 EH400 HC用于离子刻蚀 IBE
2. KRI 霍尔离子源 EH 3000 HC用于辅助天文望远镜镜片镀膜
3. 伯东 KRI 霍尔离子源 EH 4200辅助镀膜 IBAD用于 PC 预清洁
4. KRI 考夫曼霍尔离子源辅助光学镀膜
5. 伯东 KRI 霍尔离子源 EH 5500辅助手机壳颜色镀膜
6. KRI 霍尔离子源 EH 3000HC成功应用于天文望远镜镜片离子辅助镀膜工艺IBAD
7. 伯东 KRI霍尔离子源在样品清洗前处理中的应用
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