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KRI 考夫曼离子源 Gridded RFICP 系列
产品描述
上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 射频离子源, 离子束可选聚焦, 平行, 散射.
离子束流: >100 mA~1500mA; 离子动能: 100-1200 V; 中和器: LFN 2000.
采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长, 更适合时间长的工艺要求. 提供高密度离子束, 满足高工艺需求.
离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装
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美国 KRI 射频离子源 RFICP 系列 技术参数：
射频离子源 RFICP 系列技术参数:
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型号
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RFICP 40
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RFICP 100
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RFICP 140
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RFICP 220
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RFICP 380
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Discharge
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RFICP 射频
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RFICP 射频
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RFICP 射频
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RFICP 射频
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RFICP 射频
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离子束流
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>100 mA
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>350 mA
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>600 mA
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>800 mA
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>1500 mA
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离子动能
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100-1200 V
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100-1200 V
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100-1200 V
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100-1200 V
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100-1200 V
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栅极直径
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4 cm Φ
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10 cm Φ
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14 cm Φ
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20 cm Φ
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30 cm Φ
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离子束
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聚焦, 平行, 散射
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流量
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3-10 sccm
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5-30 sccm
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5-30 sccm
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10-40 sccm
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15-50 sccm
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通气
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Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
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典型压力
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< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
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长度
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12.7 cm
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23.5 cm
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24.6 cm
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30 cm
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39 cm
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直径
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13.5 cm
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19.1 cm
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24.6 cm
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41 cm
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59 cm
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中和器
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LFN 2000
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美国 KRI 射频离子源 RFICP 系列 应用领域：
伯东 KRI 射频离子源 RFICP系列离子源应用:
1. 离子辅助镀膜 IBAD( Ion beam assisted deposition in thermal & e-beam evaporation )
2. 离子清洗 PC (In-situ preclean in sputtering & evaporation )
3. 表面改性, 激活 SM (Surface modification and activation )
4. 离子溅镀IBSD (Ion beam sputter deposition of single and multilayer structures)
5. 离子蚀刻 IBE (Ion beam etching of surface features in any material)
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美国 KRI 射频离子源 RFICP 系列 应用案例：
1. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP 应用于离子刻蚀 IBE
2. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP 325 辅助 LED-DBR 镀膜
3. 伯东 KRI 离子源成功应用于离子溅射镀膜 (IBSD)
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