美国 KRI 射频离子源 RFICP 系列

Ion source Gridded RFICP

产品描述

上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 射频离子源, 离子束可选聚焦, 平行, 散射.

离子束流: >100 mA~1500mA; 离子动能: 100-1200 V; 中和器: LFN 2000. 

采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长, 更适合时间长的工艺要求. 提供高密度离子束, 满足高工艺需求.

离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装

  • 技术参数
  • 应用领域
  • 应用案例
  • 美国 KRI 射频离子源 RFICP 系列 技术参数:

    射频离子源 RFICP 系列技术参数:

    型号

    RFICP 40

    RFICP 100

    RFICP 140

    RFICP 220

    RFICP 380

    Discharge

    RFICP 射频

    RFICP 射频

    RFICP 射频

    RFICP 射频

    RFICP 射频

    离子束流

    >100 mA

    >350 mA

    >600 mA

    >800 mA

    >1500 mA

    离子动能

    100-1200 V

    100-1200 V

    100-1200 V

    100-1200 V

    100-1200 V

    栅极直径

    4 cm Φ

    10 cm Φ

    14 cm Φ

    20 cm Φ

    30 cm Φ

    离子束

    聚焦, 平行, 散射

     

    流量

    3-10 sccm

    5-30 sccm

    5-30 sccm

    10-40 sccm

    15-50 sccm

    通气

    Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

    典型压力

    < 0.5m Torr

    < 0.5m Torr

    < 0.5m Torr

    < 0.5m Torr

    < 0.5m Torr

    长度

    12.7 cm

    23.5 cm

    24.6 cm

    30 cm

    39 cm

    直径

    13.5 cm

    19.1 cm

    24.6 cm

    41 cm

    59 cm

    中和器

    LFN 2000

  • 美国 KRI 射频离子源 RFICP 系列 应用领域:

    伯东 KRI 射频离子源 RFICP系列离子源应用:

    1. 离子辅助镀膜 IBAD( Ion beam assisted deposition in thermal & e-beam evaporation )

    2. 离子清洗 PC (In-situ preclean in sputtering & evaporation )

    3. 表面改性, 激活 SM (Surface modification and activation )

    4. 离子溅镀IBSD (Ion beam sputter deposition of single and multilayer structures)

    5. 离子蚀刻 IBE (Ion beam etching of surface features in any material)

  • 美国 KRI 射频离子源 RFICP 系列 应用案例:

    1. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP 应用于离子刻蚀 IBE

    2. 伯东 KRI 射频离子源 RFICP 325 辅助 LED-DBR 镀膜

    3. 伯东 KRI 离子源成功应用于离子溅射镀膜 (IBSD)

    点击查看更多离子源应用案例》》》

CONTACT

您好, 我们的联络方式:
电话: +86-21-5046-1322
地址: 上海市浦东新区新金桥路1888号36号楼7楼702室 201206

PRODUCTS 产品菜单

查看其他产品

最近浏览过的页面

在线谘询

谘询

电话

微信

微信

TOP