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离子蚀刻机,离子刻蚀机
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离子蚀刻机,离子刻蚀机
产品描述
上海伯东日本原装进口适合中等规模量产使用的 Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C. 无论使用什么材料都可以用来加工.
蚀刻均匀性: ±5%, 硅片 Si 刻蚀速率 ≥ 20 nm/min, 样品台可选直接冷却 / 间接冷却, 0~±90度旋转, 因此射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等加工形状.
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Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 产品优势：
Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 主要优点:
1. 干式制程的微细加工装置, 使得在薄膜磁头, 半导体元件, MR sensor 等领域的开发研究及量产得以广泛应用.
2. 物理蚀刻的特性, 无论使用什么材料都可以用来加工, 所以各种领域都可以被广泛应用.
3. 配置使用美国 KRI 考夫曼离子源
4. 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状.
5. 基板直接加装在直接冷却装置上, 所以可以在低温环境下蚀刻.
6. 配置公转自转传输机构, 使得被蚀刻物可以得到比较均匀平滑的表面.
7. 机台设计使用自动化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生产过程.
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Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 技术参数：
Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 技术参数:
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 φ4 inch X 6片
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基板尺寸
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< Ф3 inch X 8片
< Ф4 inch X 6片
< Ф8 inch X 1片
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 可选
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样品台
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样品台可选直接冷却 / 间接冷却, 0~±90度旋转
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离子源
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20cm 考夫曼离子源
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均匀性
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±5% for 8”Ф
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硅片 Si 刻蚀率
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≥20 nm/min
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温度
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<100
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Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 组成：
Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 组成:
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Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 蚀刻速率：
Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 通氩气 Ar 不同材料的蚀刻速率:
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