在选择磁控溅射电源时,在KRI的直流与脉冲直流电源之间做出正确选择至关重要。这不仅关系到工艺的成败,更直接影响薄膜质量、生产效率和设备成本。本指南将引导您一步步做出最明智的决策。

一、 核心区别:
两者的根本区别在于如何应对靶面积累的电荷。
1. 直流电源:卓越的“消防员”
当工艺过程中发生随机、偶然的电弧时,直流电源能以<100ns的超快速度检测并熄灭它,将能量控制在<1mJ以内,属于 “事后补救” 。它专注于维持稳定放电。
2. 脉冲直流电源:智慧的“排爆专家”
在沉积不导电的薄膜时,电荷会不断在靶面累积,导致“靶面中毒”,使溅射过程无法进行。脉冲直流电源通过周期性的电压反转,主动中和这些电荷,从根本上 “预防问题” 的发生。
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二、 关键决策流程:四步锁定您的选择
请遵循以下决策流程图,找到最适合您工艺的电源类型:

根据以上流程,您可以得出基本结论。以下是对图中路径的详细解释:
路径一:选择直流电源的充分条件
当您的工艺满足以下所有条件时,直流电源是完美且经济的选择:
1. 核心应用:沉积纯金属、合金等所有导电性良好的靶材。
例如:铝、铜、金、银、镍、钛、钼、铬及其合金。
2. 工艺类型:标准的直流磁控溅射,不涉及反应气体。
3. 核心需求:需要极快的电弧抑制来保证金属膜层的均匀性与低缺陷率。
4. 附加优势:对设备空间有严格要求(青睐其1U超薄设计),且追求更高的性价比。
直流电源就像一辆高效的轿车,完美满足日常通勤(金属沉积)的所有需求,经济且实用。
路径二:选择脉冲直流电源的必要条件
当您的工艺出现以下任何一种情况时,脉冲直流电源是必不可少的:
1. 核心应用:沉积不导电的薄膜。
a. 氧化物:如二氧化硅、氧化铝、氧化钛、ITO等。
b. 氮化物:如氮化硅、氮化钛、氮化铝等。
2. 工艺类型:
a. 反应溅射:在氩气中引入氧气或氮气,与金属靶材反应生成化合物薄膜。
b. 直接溅射:使用本身即为绝缘体的陶瓷靶材(如Al₂O₃, SiO₂)。
3. 根本原因:只有脉冲直流电源的反向电压能有效清除靶面电荷,防止“靶面中毒”,维持稳定溅射。
脉冲直流电源就像一辆全地形越野车,当您的道路变得崎岖不平(电荷积累、靶面中毒)时,它是唯一能带你继续前行的工具。
三、 典型应用场景速查表
|
应用场景 |
推荐电源 |
说明 |
|---|---|---|
|
半导体金属布线 |
沉积Al, Cu, TiN等导电层。 |
|
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光学反射膜 |
沉积Au, Ag, Al等高反射金属。 |
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工具耐磨涂层 |
沉积Cr, Mo等硬质金属层。 |
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|
光学增透/减反膜 |
沉积SiO₂, TiO₂等介质膜。 |
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|
透明导电电极 |
沉积ITO薄膜。 |
|
|
半导体钝化层 |
沉积Si₃N₄, SiO₂薄膜。 |
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机械保护涂层 |
沉积AlN, TiN等硬质化合物膜。 |
四、 总结与最终建议
|
因素 |
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|---|---|---|
|
核心价值 |
效率与稳定 |
能力与解决 |
|
决策关键 |
材料导电性 |
材料绝缘性 |
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投资回报 |
为特定工艺提供最优性价比 |
为特殊工艺提供可行性,避免设备无法使用的风险 |
最终建议:
首先明确材料:这是选型的第一原则。从“要沉积什么”反推“需要什么电源”。
考虑未来发展:如果实验室或产线未来有向反应溅射拓展的计划,直接采购脉冲直流电源是面向未来的投资。
正确选型是成功沉积的第一步。希望本指南能帮助您清晰定位,为您的项目选择最强大的动力核心。
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