KRI 直流 (DC) 溅射电源
上海伯东代理美国 KRI 考夫曼离子源直流溅射电源, 它是一款专为标准磁控溅射工艺设计的高性能电源。它采用业界领先的1U超薄设计,在节省宝贵机架空间的同时,提供高达1500W的稳定功率输出。该电源以其卓越的电弧管理能力为核心优势,能有效保护靶材与基片,确保工艺的稳定性和薄膜质量,尤其适合金属、合金等导电材料的溅射沉积。
| 参数类别 | 规格描述 |
|---|---|
| 输出功率 | 1500W (稳定输出范围:25 - 1500W) |
| 输出电压/电流 | 0-1000 V / 0-4 A |
| 满功率阻抗范围 | 1:7 (94 – 667 Ω) |
| 电弧抑制 | 检测时间 <100纳秒,能量 <1毫焦 |
| 控制模式 | 电压、电流、功率调节模式 |
| 工艺控制 | 可调功率斜坡、可调运行计时器 |
| 配方存储 | 最多7个独立靶材的工艺配方 |
| 监控功能 | 电弧率计数器、千瓦时计数器、时间限制 |
| 通信接口 | RS-232 (DB9),模拟远程控制 (25-pin D-Sub) |
| 输入电源 | 100-240 VAC,50-60 Hz,单相 |
| 外形尺寸 (高x宽x深) | 1U标准机箱 (4.44 cm x 48.3 cm x 50 cm) |
| 重量 | 8.2 kg (18 lbs) |
| 安全认证 | CE, NRTL |
| 保修政策 | 2年 |
1. 空间效率:独特的1U紧凑设计,最大化设备空间利用率。
2. 卓越的电弧控制:<100ns的超快检测与<1mJ的极低能量,最大限度减少工艺缺陷。
3. 操作简便:宽阻抗范围无需切换变压器抽头,简化操作流程。
4. 工艺灵活性:支持多配方存储和多种控制模式,轻松适应多靶材工艺。
1. 金属及合金薄膜沉积(如Al, Cu, Ni, Ti, Mo等)
2. 半导体金属布线及电极制备
3. 光学反射膜与装饰涂层
4. 一般导电功能薄膜
电弧抑制效果对比图:
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功率范围示例图:
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