上海伯东 IBE离子束刻蚀（离子铣）基本原理与应用介绍
在半导体制程工艺中，刻蚀（Etch）是指将晶圆上没有被光刻胶覆盖或保护的部分，以化学反应或物理作用的形式加以去除，完成将图形转移到晶圆片表面上的工艺过程。刻蚀分为湿刻蚀（Wet Etching）和干刻蚀（Dry Etching）。干刻蚀则泛指采用气体进行刻蚀的所有工艺，即在晶圆上叠加光刻胶或金属掩模后，将其裸露于刻蚀气体中的工艺。干法刻蚀分为三种：PE等离子体刻蚀、IBE离子束刻蚀和RIE反应离子体刻蚀。
IBE离子束刻蚀是利用低能量平行Ar+离子束对基片表面进行轰击，将基片表面未覆盖掩膜的部分溅射出，从而达到选择刻蚀的目的主要用来金属、合金、氧化物、化合物、混合材料、半导体、绝缘体、超导体等材料的刻蚀。
与PE等离子体刻蚀和RIE反应离子体刻蚀工艺相比，IBE刻蚀具有刻蚀惰性金属和氧化的独特优势，适合以下应用：
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应用
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器件
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刻蚀材料
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磁性器件
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磁头，磁流变传感器，其他硬碟磁头，磁流变/磁流变传感器，自旋电子器件
   
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Ni-Fe, Ni-Co, Co-Fe
电极层(Ti/Pt/Au)
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传感器
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Pt薄膜热传感器，红外传感器,燃油质量传感器，空气流量传感器，应变传感器
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NiCr, PZT, W, Ta
电极层(Ti/Pt/Au)
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射频器件
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射频滤波器，GaAs/GaN HEMT，薄膜金属化衬底
 
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Ru, Cr, LiTaO3
电极层(Ti/Pt/Au)
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光学器件
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激光二极管，光电二极管，薄膜组件，LN调制器
 
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GaN, LiNbO3
电极层(Ti/Pt/Au)
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其他应用
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探针，氧化物半导体，超导体
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NiCr, Cr, Cu, Pd
LuFe2O4, SrTiO4
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