上海伯东 inTEST ATS-710E 热流仪用于DRAM存储芯片的高低温测试
随着5G基站、人工智能设备以及车载应用等领域的快速发展，存储设备的需求日益增长。这些设备在运行过程中，往往需要面对极端温度环境，因此，存储设备的高耐久性和长使用寿命成为了关键指标。DRAM（动态随机存取存储器）作为存储系统中的重要组成部分，其在高低温环境下的稳定性尤为重要。上海伯东代理 美国inTEST ATS-710E 热流仪在DRAM存储芯片高低温测试中的应用很广泛。
*图片来源: https://www.bmhysw.com/article/8584.html
DRAM存储芯片的挑战
DRAM是一种临时存储介质，具有数据保存功能，但其数据在断电后会消失。因此，DRAM需要在各种极端温度环境下保持稳定工作，以确保数据的可靠性和系统的正常运行。工业级宽温内存条要求在-40℃至85℃的温度范围内稳定工作，这对DRAM存储芯片的筛选提出了严格的要求。
inTEST ATS-710E 热流仪的优势
inTEST ATS-710E 热流仪能够提供-75℃至225℃的温度模拟环境，完全支持DRAM存储芯片在高温、低温以及高低温变化等各种模拟环境下的稳定运行。通过该设备的测试，DRAM存储芯片能够在极端温度环境下保持稳定，确保内存产品在实际应用中的可靠性。
主要特点
1. 宽温度范围：-75℃至225℃，满足DRAM存储芯片的极端温度测试需求。
2. 快速变温速率：从-55℃至+125℃的温度变化时间仅需10秒，大幅提升测试效率。
3. 高精度控温：温度精度高达±1℃，显示分辨率达到±0.1℃，确保测试数据的准确性。
4. 远程控制：自带Ethernet、IEEE-488、RS232通讯接口，支持远程获取和更改温度设定值，简化操作流程。
技术参数对比
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参数
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inTEST ATS-710E
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常规热流仪
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温度范围
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-75℃ 至 225℃
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-40℃ 至 150℃
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变温速率
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10秒（-55℃至+125℃）
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30秒（-40℃至+125℃）
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温度精度
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±1℃
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±2℃
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显示分辨率
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±0.1℃
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±0.5℃
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通讯接口
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Ethernet, IEEE-488, RS232
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RS232
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应用案例
在某知名存储设备制造商的DRAM存储芯片测试中，inTEST ATS-710E 热流仪成功模拟了从-40℃至85℃的极端温度环境，确保了DRAM芯片在高温和低温环境下的稳定性。通过该设备的测试，制造商能够筛选出符合工业级宽温标准的DRAM芯片，显著提升了产品的市场竞争力。
inTEST ATS-710E 热流仪凭借其宽温度范围、快速变温速率、高精度控温以及远程控制功能，成为DRAM存储芯片高低温测试的理想选择。该设备不仅能够满足严格的测试要求，还能显著提升测试效率，确保存储设备在极端环境下的稳定性和可靠性。
作为 inTEST 品牌的全国总代理，上海伯东致力于为客户提供高性能、高可靠性的测试解决方案。ATS-710E 热流仪的成功应用，不仅提升了测试效率，还为芯片的可靠性测试提供了强有力的支持。
上海伯东是美国 inTEST 高低温冲击测试机, 德国 普发 Pfeiffer 真空设备, 美国 KRI 考夫曼离子源, 日本 NS 离子蚀刻机, 美国 HVA 真空阀门, 美国 Gel-pak 芯片包装盒,比利时原装进 口 Europlasma 等离子表面处理机 , 日本 Atonarp过程质谱仪 和 美国 Ambrell 感应加热设备 等进口知名品牌的指定代理商 .我们真诚期待与您的合作!
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