自 1978 年以来，Kaufman & Robinson, Inc. (KRI) 作为宽束离子源技术的先驱和领导者，凭借在等离子体物理、离子源设计和电源控制工程方面的世界公认的专业知识，已为全球真空加工社区（包括制造商和研究人员）设计了 40 多年的 broad-beam 离子源产品。目前，KRI 拥有 20 多项关于离子束和等离子体技术的活跃专利，包括其在多孔离子光学技术和无栅端霍尔技术方面的创新设计。
上海伯东作为美国 KRI 离子源的全国总代理，致力于将这一尖端技术引入中国市场，为精密光学、半导体、光伏、显示面板、航空航天等众多行业提供卓越的薄膜沉积和表面处理解决方案。
KRI 离子源技术已助力多个关键领域取得突破性进展。根据官方资料，KRI 技术主要应用于以下行业：
1. 精密光学与眼科设备 (Precision optics, Ophthalmic devices)
2. 光子学/光电子学 (Photonics/ optoelectronics)
3. 数据存储与半导体 (Data storage, Semiconductors)
4. 高频电子与材料分析 (High-frequency electronics, Material analysis)
5. 耐磨防腐与航空航天 (Wear and corrosion protection, Aerospace)
6. 传感器与平板显示 (Sensors, Flat panel displays)
7. 有机柔性显示与 MEMS (Organic flexible displays, MEMS)
8. 太阳能薄膜与超导材料 (Solar thin films, Superconductors)
9. 医疗设备与摩擦学 (Medical devices, Tribology)
通过离子束工艺能力，工程师和研究人员能够实现以前无法获得的理想薄膜和表面特性。KRI 产品广泛应用于以下核心工艺：
表格
| 工艺名称 | 英文缩写 | 主要应用描述 |
|---|---|---|
| 原位基板预清洗 | PC | In-situ substrate preclean |
| 离子束辅助沉积 | IBAD | Ion-beam-assisted deposition |
| 离子束刻蚀 | IBE | Ion-beam etching |
| 反应离子束刻蚀 | RIBE | Reactive ion-beam etching |
| 化学辅助离子束刻蚀 | CAIBE | Chemically assisted ion-beam etching |
| 离子束溅射沉积 | IBSD | Ion-beam sputter deposition |
| 反应离子束溅射沉积 | RIBSD | Reactive ion-beam sputter deposition |
| 偏压靶离子束溅射沉积 | BTIBSD | Biased target ion-beam sputter deposition |
| 表面活化键合 | SAB | Surface-activated bonding |
| 离子束改性 | IBSM | Ion-beam modification of material and surface properties |
| 表面抛光/平滑 | - | Surface polishing or smoothing |
| 表面纳米结构化 | - | Surface nanostructures and texturing |
| 离子整形与增强 | - | Ion figuring and enhancement |
| 离子修剪与调谐 | - | Ion trimming and tuning |
KRI 的栅网式离子源以其卓越的光学设计和可控性著称，适用于需要精确控制离子能量和方向的高端应用。
1. OptiBeam™ 自对准光学系统：KRI 独有的专利技术，消除了传统栅网对准的繁琐程序，确保可重复且优化的光束特性，最大化束流强度并延长栅网寿命。
2. 可控中和技术：支持介电材料的稳定加工，有效消除电荷积累效应。
3. 模块化架构：易于集成到现有的真空系统或新的 OEM 系统中。
4. 广泛气体兼容性：支持惰性气体、反应性气体和有机气体（如 Ar, Kr, Xe, O₂, N₂, H₂等）。
5. 多样化光束形态：提供准直、发散和会聚等多种光束类型选择，以适应不同的工艺需求。
6. 宽能量范围：既支持低能量操作以最小化基底损伤，也支持高能量操作以实现高速溅射。
KRI 提供多种类型的栅网式离子源，以满足不同功率和应用场景的需求：
1. RFICP 系列 (射频感应耦合等离子体)：利用射频感应耦合产生等离子体，无电极损耗，适合长寿命和高纯度要求的应用。
2. KDC 系列 (考夫曼直流热阴极)：经典的考夫曼源设计，采用热阴极发射电子，技术成熟，性能稳定。
(注：具体的型号参数如电流、电压、尺寸等数据因配置不同而变化，请联系上海伯东获取针对您具体应用需求的详细规格书。)
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KRI 的无栅端霍尔离子源以其高电流、低能量和大面积均匀性而闻名，特别适合大规模生产和对离子损伤敏感的材料处理。
KRI 提供多种规格的端霍尔离子源，从小型研发用到大尺寸生产用：
阴极/中和器选择：
模块化阳极设计：
线性源配置 (eHL-X)：
可选配件：
1. 模块化架构，支持快速更换电源模块。
2. 工业级可靠电源模块，输出功率从 300W 到 4000W+。
3. 具备完善的短路和电弧保护功能。
4. 在全工作范围内保持恒定稳定的离子束参数控制。
5. 支持多种操作模式，数字控制，集成 MFC 气体控制。
6. 配方存储和远程控制接口，方便自动化集成。
1. 40 年技术积淀：KRI 自 1978 年成立以来，始终引领离子源技术创新，是行业的绝对领导者。
2. 20+ 项核心专利：拥有涵盖多孔离子光学和无栅端霍尔技术等关键领域的多项活跃专利，技术壁垒高。
3. 完整产品线：提供从研发级小尺寸到量产型大尺寸的全系列栅网式和无栅式离子源，满足各类应用场景需求。
4. 定制化能力：可根据客户的具体工艺需求（如特殊气体、特殊束流分布、特殊功率等）提供优化配置和专属解决方案。
5. 本地化支持：上海伯东作为中国区总代理，提供专业的售前技术咨询、现场安装调试、操作培训和售后维修服务。
6. 快速响应：备件供应充足，维修周期短，最大限度减少客户停机时间，保障生产连续性。
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上海伯东是日本 NS 离子蚀刻机, 美国 KRI 考夫曼离子源, 德国 ph-instruments 磁悬浮转子真空计, 德国 普发 Pfeiffer 真空设备, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 HVA 真空阀门, 美国 Gel-pak 芯片包装盒,比利时原装进 口 Europlasma 等离子表面处理机 , 和 美国 Ambrell 感应加热设备 等进口知名品牌的指定代理商 .我们真诚期待与您的合作!
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