一、项目背景与客户需求
某高校电气工程学院开展传感器相关科研实验，需要离子刻蚀设备完成传感器金属电极的微纳加工，待刻蚀金属材料包含 Pd（钯）、Pt（铂）、Cr（铬）等难刻蚀金属材料；加工基材为4 英寸及以下晶圆，采用光刻胶作为刻蚀掩模，开展传感器器件工艺研发工作。
针对上述科研需求，上海伯东结合 NS IBE 系列离子束铣削刻蚀设备产品资料，推荐研发机型10 IBE 离子束铣削系统，用于传感器金属电极刻蚀工艺开发。
二、设备选型说明：10 IBE 研发型离子束刻蚀系统
IBE 系列离子束铣削（Ion Milling / Etching）是微纳加工领域主流工艺手段，非常适用于磁性材料、各类难刻蚀金属及其化合物的刻蚀加工，原厂样本列明可加工难刻蚀材料包含 Pt、Ti、Ta、Ir、Ru、W、Au 及其化合物，完全匹配客户 Pt、Pd、Cr 金属电极刻蚀的材料加工需求。
产品线划分：
10IBE：面向科研研发场景（本次推荐机型）
20IBE‑C：量产机型
20IBE‑J：量产机型
贵校属于高校实验室研发使用，不面向大批量生产，优先选用10IBE 研发机型，适配 4 英寸及以内尺寸晶圆试样。
三、10 IBE 设备核心技术特点（源自原厂样本）
优异的刻蚀均匀性 设备具备优秀的刻蚀均匀性能，对于 4 英寸及以下晶圆试样，可保障传感器金属电极图形刻蚀一致性，保证晶圆不同位置电极图形加工质量稳定。
刻蚀工艺条件灵活可调 刻蚀工艺参数调节自由度高，针对 Pd、Pt、Cr 不同金属电极材料，可以灵活调试离子束工艺条件，适配光刻胶掩模工艺，摸索不同金属的刻蚀速率、选择比工艺窗口，适合高校科研多配方工艺开发。
优秀的基片冷却系统 配置高性能基片冷却系统。客户采用光刻胶作为掩模材料，光刻胶耐热有限，良好的冷却可以抑制离子轰击带来的基片升温，避免光刻胶碳化、变形、脱落，保障掩模图形完整转移到 Pt/Pd/Cr 金属电极层。
无油脂工件固定方式 样品固定无需油脂粘接固定晶圆，规避油脂挥发带来的腔室污染、试样污染问题，保障传感器金属电极器件洁净度，避免杂质引入影响传感器电学性能。
支持多种尺寸基片兼容 支持多种规格基片尺寸，可直接兼容贵校 4 英寸及以下晶圆样品，满足不同实验批次试样尺寸变化需求。
可选配终点检测模块（End point detector） 可以根据科研需要选配终点检测器，实时监控刻蚀进程，判断金属电极层刻蚀终点，防止过刻蚀，对于金属电极刻蚀工艺开发有重要帮助，为可选配置。
四、匹配客户的应用方向（原厂目标应用）
原厂 IBE 系列设备目标应用包含 MR 传感器、自旋电子学、MEMS、射频器件、光学元器件、超导、薄膜磁头等方向，和贵校电气工程学院Sensor 传感器金属电极刻蚀的研究方向高度契合。
客户具体加工：Pd、Pt、Cr 金属电极；4 英寸及以下晶圆；光刻胶掩模，10IBE 研发机可以完整支撑该类微纳刻蚀工艺实验、工艺摸索、样品制备。
五、方案小结
用户需求总结：高校电气工程学院，传感器金属电极刻蚀；材料 Pd、Pt、Cr；4 英寸及以下晶圆，光刻胶掩模，科研研发使用。
推荐设备：10 IBE 离子束铣削刻蚀系统（研发机型）
适配优势：
工艺适配：擅长 Pt 等难熔难刻蚀金属材料刻蚀，适配 Pd、Pt、Cr 电极加工；
冷却系统保护光刻胶掩模，防止掩模高温损坏；
样品无油脂固定，保证器件洁净；
兼容 4 英寸及以下多种尺寸试样，工艺条件灵活适合高校工艺探索；
可选购终点检测组件，便于金属层刻蚀终点监控；
原厂定位 MR Sensor 传感器为目标应用，设备设计初衷即面向传感器器件微纳加工。
补充：如果后续未来有小批量样品量产需求，可以再评估 20IBE‑C /20IBE‑J 量产型号。
六、后续建议
可以提供设备样本纸质版，提供样机资料；
可进一步沟通：是否需要选配终点检测器；
可后续对接试样工艺测试评估，开展 Pt、Pd、Cr 金属刻蚀工艺摸索。
