传统直接蒸发 HfO2块材料, 容易产生节瘤缺陷, 吸收很大, 限制了薄膜的激光损伤阈值, 因此, 为了获取高质量的 HfO2 薄膜, 某机构采用 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 辅助镀制 HfO2 薄膜.
客户的样品基底材料为 K9 玻璃, 靶材为 HfO2块材料, 运行的离子源偏压为 90V.
离子源型号 |
|
Discharge |
DC 热离子 |
离子束流 |
>650 mA |
离子动能 |
100-1200 V |
栅极直径 |
16 cm Φ |
离子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
流量 |
2-30 sccm |
通气 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型压力 |
< 0.5m Torr |
长度 |
25.2 cm |
直径 |
23.2 cm |
中和器 |
灯丝 |
* 可选: 可调角度的支架
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