KRI 考夫曼离子源应用案例发布日期:2020-09-21

伯东 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 辅助镀制 HfO2 薄膜


传统直接蒸发 HfO2块材料, 容易产生节瘤缺陷, 吸收很大, 限制了薄膜的激光损伤阈值, 因此, 为了获取高质量的 HfO2 薄膜, 某机构采用 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 辅助镀制 HfO2 薄膜.

 

客户的样品基底材料为 K9 玻璃, 靶材为 HfO2块材料, 运行的离子源偏压为 90V.

 

KRI 考夫曼离子源 KDC 160

 

伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 技术参数:

 离子源型号

 离子源 KDC 160 

Discharge

DC 热离子

离子束流

>650 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

16 cm Φ

离子束

聚焦, 平行, 散射

流量

2-30 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

25.2 cm

直径

23.2 cm

中和器

灯丝

* 可选: 可调角度的支架

 

应用结果:
通过使用伯东 KRI 考夫曼离子源 KDC 160 在偏压为 90V 时, 制造得到的HfO2 薄膜晶粒减小, 膜结构更均匀, 缓解了激光能量的局部聚焦, 因此具有较高的损伤阈值.

 

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