上海伯东是美国 Kaufman & Robinson（KRI）中国全国总代理。KRI 自 1978 年专注宽束离子源研发制造，拥有 20 余项离子束与等离子技术专利。本次 KRI 即将重磅推出全新系列离子与等离子源产品，覆盖LRD 负载共振驱动射频等离子源、RFi 射频栅格离子源、eH 无栅端‑霍尔等离子源三大产品线，兼顾科研研发与量产工业场景，为离子束刻蚀、离子束溅射沉积、离子辅助沉积、基片原位预清洗、表面改性等真空工艺提供全新解决方案，上海伯东将为国内客户提供技术咨询、选型、售后全流程支持。
LRD™是 KRI 创新射频模块，搭载 GaNFET 功率器件，实现 DC 直接转 RF 转换，依托等离子线圈与匹配电容固有共振实现软开关，功率转换效率可达 98% 以上。
核心优势
a. 省去传统 RF 传输电缆与独立阻抗匹配网络，简化整机系统设计；
b. 极高控制响应速度，可实时调节系统工艺参数；
c. 运行可靠，维护简单，工艺响应性能优异；
d. 配套 RFp120‑LRD 射频等离子源与 IIC‑LRD‑P 专用控制器，快速集成现有真空设备。
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2、RFi 系列射频栅格离子源
RFi 系列为无灯丝射频感应耦合栅格离子源，型号覆盖 RFi40、RFi120、RFi140、RFi220、RFi380，从小型实验平台到大尺寸工业量产设备全覆盖。
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核心优势
a. 无灯丝射频电离，兼容活性气体，延长维护周期；
b. OptiBeam™自对准离子光学，无需栅格校准步骤，工艺可重复性高，延长栅网寿命；
c. 丰富束流配置，可配置聚焦、准直、发散离子束；
d. 支持 Ar、Xe、Kr、O₂、N₂及有机前驱体多种工艺气体；
e. 可搭配 LFN2000 非浸没式中和器，最高输出 2A 发射电流，解决介质基材电荷累积问题，适配长时间镀膜生产。
3、eH 系列无栅（Gridless）端‑霍尔离子 & 等离子源
eH 无栅系列型号包含 eH400、eH1000、eH2000、eH3000、eH Linear 线性源，主打大离子流、低离子能量工艺场景。
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核心优势
1. 专利可插拔模块化阳极组件，台面上即可拆装维护，大幅降低维护成本；
2. eH3000 大功率型号面向大面积工艺应用，市面同类型产品中离子通量效率优异；放电参数 50‑250V /20A；
eH2000 适合中大型真空腔体，用于离子辅助、基片预清洗、低能刻蚀工艺；
3. 兼容灯丝中和器、空心阴极中和器两种方案，适配惰性、反应气体环境，实现离子束空间电荷中和，还可增强磁控溅射电子通量；
4. eH Linear 线性源适配卷对卷、直线传动基板，模组数量、间距可定制，优化离子剂量与面内均匀性；
5. 支持 Ar、Xe、Kr、O₂、N₂、有机前驱体等多种工艺气体。
应用场景汇总
离子束辅助沉积 IBAD、原位基片预清洗、离子束溅射沉积、低能离子刻蚀、表面改性、薄膜致密化、纳米表面构造、各向异性刻蚀等，覆盖光学镀膜、半导体、MEMS、材料科研等领域。
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