hakuto 离子刻蚀机运用于 PDMS 软刻蚀用母模板研究
随着微纳制造技术的发展，软刻蚀技术因其在微流体、组织工程和生物医学等领域的广泛应用而受到重视。PDMS（聚二甲基硅氧烷）作为一种常用的软刻蚀材料，其母模板的制备质量直接影响到最终产品的性能。Hakuto 7.5IBE 离子刻蚀机以其高效、简便的操作特点，为软刻蚀母模板的制备提供了新的选择。
Hakuto 7.5IBE 离子刻蚀机概述:
Hakuto 7.5IBE 离子刻蚀机是伯东公司代理的一款高性能离子刻蚀设备，其核心构件离子源为 KRI 考夫曼公司的 KDC 75。该离子源由美国考夫曼博士创立，以其卓越的性能和稳定性在行业内享有盛誉。
应用背景与研究意义:
软刻蚀技术在微纳制造领域具有重要应用，而 PDMS 作为软刻蚀材料的代表，其母模板的制备工艺直接影响到微结构的精度和一致性。Hakuto 7.5IBE 离子刻蚀机的应用，有望提高母模板的制备效率和质量，进而推动相关领域的技术进步。
技术原理与操作流程:
Hakuto 7.5IBE 离子刻蚀机采用先进的离子束技术，通过精确控制离子束的能量和方向，实现对材料表面的精细刻蚀。操作流程包括模板装载、参数设置、刻蚀过程监控和后处理等步骤，具有操作简便、制备周期短的特点。
案例分析:
西南某高校在 PDMS 软刻蚀用母模板研究中有采用到伯东 Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE .
Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 技术规格:
|
真空腔
|
1 set, 主体不锈钢,水冷
|
|
基片尺寸
|
1 set, 4”/6”ϕ Stage, 直接冷却,
|
|
离子源
|
ϕ 8cm 考夫曼离子源 KDC75
|
|
离子束入射角
|
0 Degree～± 90 Degree
|
|
极限真空
|
≦1x10-4 Pa
|
|
刻蚀性能
|
一致性: ≤±5% across 4”
|
该 Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 的核心构件离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 75
伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC75 技术参数：
|
离子源型号
|
离子源 KDC 75
|
|
Discharge
|
DC 热离子
|
|
离子束流
|
>250 mA
|
|
离子动能
|
100-1200 V
|
|
栅极直径
|
7.5 cm Φ
|
|
离子束
|
聚焦, 平行, 散射
|
|
流量
|
2-15 sccm
|
|
通气
|
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
|
|
典型压力
|
< 0.5m Torr
|
|
长度
|
20.1 cm
|
|
直径
|
14 cm
|
|
中和器
|
灯丝
|
伯东离子蚀刻机应用领域
上海伯东是德国 Pfeiffer 真空设备, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国Gel-pak 芯片包装盒, 美国 inTEST 高低温冲击测试机， 日本 NS 离子蚀刻机, 比利时 Stratasys 3D 打印机, 比利时原装进口 Europlasma 等离子表面处理机 和美国 Ambrell 感应加热设备 等进口知名品牌的指定代理商 .我们真诚期待与您的合作!
若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请联络
上海伯东: 罗女士
上海伯东版权所有, 翻拷必究！
