VO2 薄膜作为一种热门的功能材料, 具有优秀的相变特性和电阻开关特性, 在微测辐射热计、光存储器等光学器件领域具有广泛的应用前景.
天津某材料制造商采用伯东 KRI 射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射沉积制备 VO2 薄膜, 以获得均匀性好, 沾污少, 附着力强, 较高的透过率的 VO2 薄膜.
KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:
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射频离子源型号 |
RFICP380 |
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Discharge 阳极 |
射频 RFICP |
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离子束流 |
>1500 mA |
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离子动能 |
100-1200 V |
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栅极直径 |
30 cm Φ |
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离子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
15-50 sccm |
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通气 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型压力 |
< 0.5m Torr |
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长度 |
39 cm |
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直径 |
59 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
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客户采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP380 产生离子束不断轰击源极靶材和工件, 工件在离子束轰击下迅速被加热至高温, 源极靶材在轰击作用下溅射出的合金元素不断奔向工件表面, 经沉积扩散过程形成一定厚度的涂层.
KRI 射频离子源 RFICP380 运行结果:
1. 获得的薄膜在可见光波段具有较高的透过率
2. 薄膜较为平整且对可见光的透过率较高为38%, 退火处理提高了薄膜的结晶性和透过率
3. 制备出单斜结构的VO2薄膜, 且具有晶面择优取向
4. 制备的薄膜均匀性好, 沾污少, 附着力强, 沉积速率大, 效率高, 产量高
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