伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 溅射制备 VO2 薄膜
VO2 薄膜作为一种热门的功能材料, 具有优秀的相变特性和电阻开关特性, 在微测辐射热计、光存储器等光学器件领域具有广泛的应用前景.
天津某材料制造商采用伯东 KRI 射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射沉积制备 VO2 薄膜, 以获得均匀性好, 沾污少, 附着力强, 较高的透过率的 VO2 薄膜.
KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:
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射频离子源型号
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RFICP380
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Discharge 阳极
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射频 RFICP
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离子束流
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>1500 mA
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离子动能
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100-1200 V
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栅极直径
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30 cm Φ
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离子束
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聚焦, 平行, 散射
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流量
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15-50 sccm
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通气
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Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
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典型压力
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< 0.5m Torr
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长度
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39 cm
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直径
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59 cm
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中和器
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LFN 2000
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客户采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP380 产生离子束不断轰击源极靶材和工件, 工件在离子束轰击下迅速被加热至高温, 源极靶材在轰击作用下溅射出的合金元素不断奔向工件表面, 经沉积扩散过程形成一定厚度的涂层.
KRI 射频离子源 RFICP380 运行结果:
1. 获得的薄膜在可见光波段具有较高的透过率
2. 薄膜较为平整且对可见光的透过率较高为38%, 退火处理提高了薄膜的结晶性和透过率
3. 制备出单斜结构的VO2薄膜, 且具有晶面择优取向
4. 制备的薄膜均匀性好, 沾污少, 附着力强, 沉积速率大, 效率高, 产量高
伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.
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