为了得到最佳性能的磁控溅射 Cu-W 薄膜, 某大学新材料研究所采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射技术在基片上沉积 Cu-W 膜.
KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:
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射频离子源型号 |
RFICP380 |
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Discharge 阳极 |
射频 RFICP |
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离子束流 |
>1500 mA |
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离子动能 |
100-1200 V |
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栅极直径 |
30 cm Φ |
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离子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
15-50 sccm |
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通气 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型压力 |
< 0.5m Torr |
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长度 |
39 cm |
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直径 |
59 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
上图为磁控溅射系统工作示意图
KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的. 因此伯东的KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP380 被客户采用作为 4, 5 溅射离子源.
客户材料:
基片为φ25mmX4mm 的玻璃片, W 靶纯度 99.9%, 尺寸 φ76mmX4mm, 铜靶纯度 99.99%, 尺寸 φ76mmX4mm, 工作气体为纯度 99.99% 的氩气.
运行结果:
当 W 含量在11.1%时, Cu-W 薄膜具有最好的硬度和耐磨性.
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