美国KRi 考夫曼离子源 KDC 40 在 IBE+E-beam双腔系统中的应用
一、产品概述
KDC 40是美国KRi公司生产的直流考夫曼离子源，栅网直径为4cm，采用加热灯丝电子产生技术，能够提供低浓度、高能量的宽束离子束。该离子源专为高精度离子工艺设计，适用于IBE刻蚀与E-beam电子束蒸发镀膜的双腔集成系统。
二、技术特点与优势
1. 广泛的工艺适应性
KDC 40离子源适用于多种离子工艺，包括：
a. 表面预清洗
b. 表面改性
c. 辅助镀膜
d. 溅射镀膜
e. 离子蚀刻与沉积
2. 优异的气体兼容性
a. 兼容惰性气体（如氩气）
b. 兼容活性气体（如氧气、氮气）
c. 支持混合气体工艺
3. 精确的工艺控制
a. 离子能量范围：65-1200eV
b. 离子电流：最高超过140mA
c. 束流均匀性优异，确保工艺一致性
三、技术参数
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参数类别
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技术规格
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测试条件
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栅网直径
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4 cm
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机械测量
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离子能量范围
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65-1200 eV
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标准配置
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最大离子电流
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>140 mA
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额定工作条件
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适用气体
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惰性气体、氧气、氮气等
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纯度>99.999%
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束流均匀性
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>90%
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Φ100mm基片
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灯丝寿命
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>500小时
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额定工作条件下
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四、双腔系统集成应用
1. 系统配置
某OEM客户采用线性级联技术，集成以下腔室：
a. 进样/预处理腔室
b. IBE离子刻蚀腔室（配备KDC 40离子源）
c. E-beam电子束蒸发镀膜腔室
d. 氧化处理腔室
2. 系统优势
a. 全自动运行：操作简单，维护方便
b. 颗粒物控制：采用抓取传送方式，减少污染
c. 工艺完整性：实现刻蚀与镀膜一体化加工
d. 高质量产出：满足超导器件的精密制造要求
五、应用领域
KDC 40离子源在以下领域具有广泛应用：
a. 超导材料加工：高质量超导器件制备
b. 光学薄膜沉积：精密光学元件制造
c. 表面工程：材料表面改性处理
d. 微电子制造：半导体器件加工
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