Hakuto 伯东离子刻蚀机 IBE 应用案例发布日期：2025-10-28

上海伯东 NS 离子束刻蚀 IBE：为精密制造提供可靠的干法刻蚀解决方案

在半导体、MEMS、射频器件与磁性材料等高端制造领域，离子束刻蚀（IBE）作为一种纯物理的干法刻蚀工艺，正成为越来越多科研机构与制造企业的关键技术选择。Hakuto NS 离子束刻蚀系统，由日本NS株式会社与伯东集团共同研发，凭借其卓越的工艺稳定性、广泛的材料适应性与灵活的定制能力，为客户提供从研发到量产的全方位解决方案。

什么是离子束刻蚀？

离子束刻蚀利用加速至200–1000 eV范围的氩离子，通过物理碰撞将基板表面材料逐层剥离。该工艺不依赖化学反应，适用于多种金属、合金及复合材料的微细加工，尤其擅长处理金（Au）、铂（Pt）、磁性材料等难蚀刻材料，以及金属多层膜的刻蚀工艺。

系统主要由以下部分构成：

1. 考夫曼型离子源

2. 中和器（用于电中性化）

3. 基板载台

4. 真空腔体与排气系统

产品系列与技术参数

Hakuto NS IBE 系统提供两种主要型号，覆盖从研发到量产的不同需求：

型号系列	产品图片	离子源类型	基板配置	适用阶段	主要特点
10IBE 系列		10 cm 考夫曼型	φ4″ × 1片	研发与小批量	小型省空间，支持样品适配器
20IBE-C		20 cm 考夫曼型	φ3″×8片、φ4″×6片等	中试与中型量产	行星式载台，优良均匀性

核心技术：考夫曼型离子源

Hakuto NS 采用的考夫曼型离子源源自NASA离子推进技术，具备高稳定性与精准控制能力。其工作原理如下：

1. 通过热阴极发射电子，在电磁场作用下与氩气碰撞形成等离子体

2. 离子经双栅极系统加速后形成定向束流，轰击基板表面

3. 支持通过电压调节控制离子能量，实现精准刻蚀

典型应用领域

1. 自旋电子器件：MRAM、HDD 等磁性多层膜的精密刻蚀

2. 各类传感器与MEMS：热阻、红外、压电打印头等金属与氧化物结构

3. 射频器件：滤波器、GaAs/GaN HEMT 等贵金属电极刻蚀

4. 化合物半导体：金布线、种子层去除等工艺

定制化与演示支持

1. 我们可根据客户需求提供定制化配置，包括：

2. 简易型负载锁定装置

3. 无闸阀设计

4. 多离子源配置（如双源刻蚀与辅助沉积系统）

5. 大口径基板处理方案

我们提供样品演示服务，可使用10IBE（单载台）或20IBE（行星载台）设备为客户进行工艺验证。

如您需进一步了解产品资料、安排演示或咨询定制方案，欢迎与我们联系。

上海伯东是德国 普发 Pfeiffer 真空设备, 美国 KRI 考夫曼离子源, 日本 NS 离子蚀刻机, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 HVA 真空阀门, 美国 Gel-pak 芯片包装盒,比利时原装进口 Europlasma 等离子表面处理机 , 日本 Atonarp过程质谱仪 和美国 Ambrell 感应加热设备 等进口知名品牌的指定代理商 .我们真诚期待与您的合作!

伯东代理品牌

若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:

上海伯东联系方式

上海伯东: 罗小姐台湾伯东: 王小姐
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
M: 1520-195-1076 ( 微信同号 ) F: +886-3-567-0049
QQ: 2470772868 M: +886-939-653-958
www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw