二氧化硅 (SiO_2) 薄膜具有硬度高、耐磨性好、绝缘性好等优点常作为绝缘层材料在薄膜传感器生产中得到广泛应用. 某光学薄膜制造商为了获得高品质的 SiO_2薄膜引进伯东 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380辅助离子束溅射镀制SiO_2薄膜.
该制造商的离子束溅射镀膜组成系统主要由溅射室、双离子源、溅射靶、基片台、真空气路系统以及控制系统等部分组成.
离子源溅射离子源采用进口的 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380, 其参数如下:
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射频离子源型号 |
RFICP 380 |
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Discharge 阳极 |
射频 RFICP |
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离子束流 |
>1500 mA |
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离子动能 |
100-1200 V |
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栅极直径 |
30 cm Φ |
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离子束 |
聚焦 |
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流量 |
15-50 sccm |
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通气 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型压力 |
< 0.5m Torr |
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长度 |
39 cm |
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直径 |
59 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
1. 聚焦型溅射离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率
2. 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染
其真空气路系统真空系统需要沉积前本底真空抽到 8×10-4 Pa, 经推荐采用伯东泵组 HiCube 80 Pro, 其技术参数如下：
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进气法兰 |
氮气抽速 |
极限真空 hpa |
前级泵 型号 |
前级泵抽速 |
前级真空 |
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DN 40 ISO-KF |
35 |
< 1X10-7 |
Pascal 2021 |
18 |
AVC 025 MA |
运行结果：
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