KRI 霍尔型离子源 Gridless
霍尔离子源高电流提高镀膜沉积速率, 低能量减少离子轰击损伤表面, 宽束设计有效提高吞吐量和覆盖沉积区. 整体易操作, 易维护. 霍尔离子源 eH 提供一套完整的方案包含离子源, 电子中和器, 电源供应器, 流量控制器 MFC 等等可以直接整合在各类真空设备中, 例如镀膜机, load lock, 溅射系统, 卷绕镀膜机等.
美国 KRI 霍尔离子源 eH 特性
- 无栅极
- 高电流低能量
- 发散光束 >45
- 可快速更换阳极模块
- 可选 Cathode / Neutralize 中和器
美国 KRI 霍尔离子源 eH 主要应用
- 辅助镀膜 IBAD
- 溅镀&蒸镀 PC
- 表面改性、激活 SM
- 沉积 (DD)
- 离子蚀刻 LIBE
- 光学镀膜
- Biased target ion beam sputter deposition (BTIBSD)
- Ion Beam Modification of Material Properties (IBM)
例如
1. 离子辅助镀膜及电子枪蒸镀
2. 线上式磁控溅射及蒸镀设备预清洗
3. 表面处理
4. 表面硬化层镀膜
5. 磁控溅射辅助镀膜
6. 偏压离子束磁控溅射镀膜
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源.离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
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