Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 产品资料发布日期：2021-03-04

上海伯东日本原装进口适合小规模量产使用和实验室研究的 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE.

蚀刻均匀性: ±5%, 硅 Si 刻蚀速率≥20 nm/min, 样品台: 直接冷却（水冷）0~±90 度旋转.

Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 内部使用美国 KRI 考夫曼离子源产生轰击离子;

终点检出器采用 Pfeiffer 残余气体质谱分析仪监测当前气体成分, 判断刻蚀情况.

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