KRI 考夫曼离子源应用案例发布日期:2021-03-15

KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 溅射沉积 Ir 膜


铱 (Ir) 是一种很好的真空紫外反射材料. 在 50100nm 的波长范围内, Ir 膜反射率比此波长范围内常用材料 Au、Pt 都高, 虽比 Os 膜反射率稍低, 但后者时效效应严重. 相比之下, 空气中的时效对 Ir 膜反射率几乎没有影响, 考虑综合性能, Ir 膜在真空紫外波段 50100nm 范围内最佳.

 

安徽某大学课题租采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 , 在石英、K9 玻璃和 Si 基片上溅射沉积不同厚度的 Ir 膜各种不同厚度的 Ir 膜, 研究基片、表面厚度、离子束能量对 Ir 膜反射率的影响.

 

伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:

离子源型号

RFICP220

Discharge

RFICP 射频

离子束流

>800 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

20 cm Φ

离子束

聚焦,   平行,   散射

流量

10-40 sccm

通气

Ar,   Kr,   Xe,   O2,   N2,   H2,   其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

30 cm

直径

41 cm

中和器

LFN 2000

* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量

KRI 射频离子源 RFICP 220

试验中, 采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220  辅助磁控溅射沉积的方法获得均匀致密、大面积的 Ir 膜, 沉积过程中通过调节参数, 沉积时间等从而得到不同厚度的 Ir 薄膜材料, 满足各种试验需求.

 

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

 

因此,  该研究项目才采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射沉积工艺.

 

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