KRI 考夫曼离子源应用案例发布日期:2026-02-12

上海伯东 RFICP 380 射频离子源用于高精度光学薄膜离子束溅射沉积


1. 应用介绍

行业领域:高端光学制造
工艺设备:离子束溅射沉积系统
镀膜材料:氧化物多层介质膜
基底材料:光学玻璃、微晶玻璃
基底尺寸:可达300mm

 

工艺背景

激光陀螺、高功率激光器、空间光学系统等高端应用对光学薄膜的损耗、环境稳定性和激光损伤阈值有极高要求。传统电子束蒸发镀膜由于沉积粒子能量低,膜层呈现柱状晶结构,导致散射损耗高、环境稳定性差、应力难以控制。

 

工艺目标

在大面积基底上沉积高密度、低损耗、低应力的氧化物多层膜,满足高端光学系统对薄膜性能的严苛要求。

 

2. 推荐产品

美国 KRI 射频离子源 RFICP 380

射频离子源 RFICP 380

本应用采用 RFICP 380 大口径射频离子源作为溅射源,配置平行束三栅极组件,产生大面积均匀离子束轰击靶材。

选型依据

工艺需求

KRI RFICP 380 解决方案

大面积均匀镀膜

栅极直径30cm,可覆盖300mm基底

超低损耗膜层

无灯丝设计,杜绝电极污染;射频放电等离子体纯净

长时间连续工艺

无灯丝,无电极腐蚀,支持长周期连续运行

反应溅射兼容

全陶瓷/石英等离子体室,耐氧气腐蚀

应力控制

离子能量宽范围可调,可调控薄膜微结构

 

3. 工艺实现与技术优势

工作原理

RFICP 380 射频离子源产生高能离子束轰击靶材,溅射出的靶材原子在氧气氛中沉积于基底表面,形成氧化物薄膜。通过交替切换靶材和精确控制沉积时间,实现多层膜结构沉积。

 

工艺能力

a. 支持 Ta₂O₅、SiO₂、Nb₂O₅、HfO₂、TiO₂ 等多种氧化物薄膜沉积

b. 离子能量与束流密度独立控制,可优化薄膜折射率与应力状态

c. 无灯丝设计避免钨挥发污染,膜层纯净度高

d. 射频放电稳定性好,工艺重复性优异

 

4. 关键性能参数

参数名称

技术规格

离子源型号

KRI RFICP 380

放电方式

射频感应耦合等离子体

栅极直径

30 cm Φ

最大离子束流

>1500 mA

离子能量范围

100 - 1200 eV

离子束类型

聚焦、平行、散射(可选)

工作气体

Ar, Kr, Xe, O₂, N₂, H₂ 等

气体流量范围

15 - 50 sccm

典型工作压力

< 0.5 mTorr

中和器

LFN 2000

源体尺寸

长度:39 cm,直径:59 cm

 

5. 应用成果与客户价值

工艺效果

a. 膜层品质提升:获得致密、无柱状晶结构的薄膜,光学损耗显著低于传统蒸发镀膜

b. 大面积均匀性:300mm 基底范围内膜厚均匀性优异,边缘可用率高

c. 环境稳定性:薄膜堆积密度高,吸潮漂移小,通过严苛环境测试

d. 应力可控:通过调节离子能量可调控薄膜应力状态,面形畸变小

 

客户收益

a. 满足高端光学系统对薄膜损耗和稳定性的严苛要求

b. 大面积镀膜能力提升产能,降低单件成本

c. 无灯丝设计减少维护停机时间,设备稼动率提升

d. 栅极维护周期长,年度备件成本显著降低

 

上海伯东是日本  NS 离子蚀刻机, 美国  KRI 考夫曼离子源,  德国 ph-instruments 磁悬浮转子真空计, 德国 普发 Pfeiffer  真空设备, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国  HVA 真空阀门, 美国  Gel-pak 芯片包装盒,比利时原装进 口 Europlasma 等离子表面处理机 ,  和  美国 Ambrell 感应加热设备 等进口知名品牌的指定代理商 .我们真诚期待与您的合作!

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