KRI 考夫曼离子源应用案例发布日期:2020-10-15

KRI 射频离子源用于碳化硅微纳结构表面刻蚀


为了解决飞秒激光加工硬质材料所带来的表面质量差的问题, 国内某制造商用伯东聚焦型射频离子源 RFICP 380 辅助飞秒激光加工技术对碳化硅微纳结构表面进行刻蚀.

伯东 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 技术参数:

射频离子源型号

RFICP 380

Discharge 阳极

射频 RFICP

离子束流

>1500 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

30 cm Φ

离子束

聚焦

流量

15-50 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

39 cm

直径

59 cm

中和器

LFN 2000

 

推荐理由:

使用 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380可以准确、灵活地对样品选定的区域进行刻蚀、减薄.

 

工艺简介:

在碳化硅表面制备微纳结构图形, 然后通过 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 对碳化硅微纳结构进行刻蚀, 以调控结构的线宽和深度.

 

运行结果:

1. 结构表面粗糙度由约 106nm 降低到 11.8nm

2. 碳化硅线条结构周围的毛刺基本消失, 线条结构表面的粗糙度得到显著改善, 降低结构表面的粗糙度实现高平滑度微光学元件的制备

3. 通过 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 碳化硅菲涅尔波带片展现出良好的聚焦和成像效果

 

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