KRI 射频离子源用于碳化硅微纳结构表面刻蚀
为了解决飞秒激光加工硬质材料所带来的表面质量差的问题, 国内某制造商用伯东聚焦型射频离子源 RFICP 380 辅助飞秒激光加工技术对碳化硅微纳结构表面进行刻蚀.
伯东 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 技术参数:
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射频离子源型号
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RFICP 380
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Discharge 阳极
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射频 RFICP
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离子束流
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>1500 mA
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离子动能
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100-1200 V
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栅极直径
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30 cm Φ
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离子束
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聚焦
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流量
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15-50 sccm
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通气
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Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
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典型压力
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< 0.5m Torr
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长度
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39 cm
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直径
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59 cm
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中和器
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LFN 2000
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推荐理由:
使用 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380可以准确、灵活地对样品选定的区域进行刻蚀、减薄.
工艺简介：
在碳化硅表面制备微纳结构图形, 然后通过 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 对碳化硅微纳结构进行刻蚀, 以调控结构的线宽和深度.
运行结果:
1. 结构表面粗糙度由约 106nm 降低到 11.8nm
2. 碳化硅线条结构周围的毛刺基本消失, 线条结构表面的粗糙度得到显著改善, 降低结构表面的粗糙度实现高平滑度微光学元件的制备
3. 通过 KRI 聚焦型射频离子源 RFICP 380 碳化硅菲涅尔波带片展现出良好的聚焦和成像效果
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