传统磁控溅射制备工艺存在一个突出的问题, 当离子能量较低时,在溅射沉积过程中会发生 “遮蔽效应”, 会使薄膜结构疏松, 产生孔隙等缺陷, 这直接影响着薄膜的性能.
为提高制备薄膜的致密度, 减少结构缺陷, 提高耐蚀性能, 国内某光学薄膜制造商采用伯东 KRI 考夫曼聚焦型射频离子源 RFICP 140 用于磁控溅射镀制 TiN 薄膜.
伯东 KRI 射频离子源 RFICP 140 技术参数:
|
型号 |
RFICP 140 |
|
Discharge |
RFICP 射频 |
|
离子束流 |
>600 mA |
|
离子动能 |
100-1200 V |
|
栅极直径 |
14 cm Φ |
|
离子束 |
聚焦 |
|
流量 |
5-30 sccm |
|
通气 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
|
典型压力 |
< 0.5m Torr |
|
长度 |
24.6 cm |
|
直径 |
24.6 cm |
|
中和器 |
LFN 2000 |
.jpg)
客户采用离子源辅助磁控溅射镀膜技术在 304 不锈钢和 P 型(100)晶向硅片上制备TiN纳米薄膜.
推荐理由:
聚焦型射频离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率; 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染
运行结果：
1. 通过KRI 考夫曼聚焦型射频离子源 RFICP 140 溅射作用将优先形成的遮蔽效应, 制备的薄膜具有较高致密度.
2. 减少结构缺陷
3. 提高耐蚀性能
上海伯东是日本 NS 离子蚀刻机, 美国 KRI 考夫曼离子源, 德国 ph-instruments 磁悬浮转子真空计, 德国 普发 Pfeiffer 真空设备, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 HVA 真空阀门, 美国 Gel-pak 芯片包装盒,比利时原装进 口 Europlasma 等离子表面处理机 , 和 美国 Ambrell 感应加热设备 等进口知名品牌的指定代理商 .我们真诚期待与您的合作!
若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
.png)
上海伯东: 罗小姐 台湾伯东: 王小姐
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
M: 1520-195-1076 ( 微信同号 ) F: +886-3-567-0049
QQ: 2470772868 M: +886-939-653-958
www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw
上海伯东版权所有, 翻拷必究！
