KRI 考夫曼离子源应用案例发布日期:2020-11-05

伯东 KRI 考夫曼平行型射频离子源 RFICP220 辅助 DC/DC 混合电路生产


在 DC/DC 混合电路生产各工艺环节中会有不希望出现的物理接触面状态变化、相变等, 对质量带来不利影响, 对其生产中表面状态的控制已成为必不可少的关键控制环节.

 

某大型工厂在生产过程中采用 KRI 考夫曼平行型射频离子源 RFICP220 辅助 DC/DC 混合电路生产, 其主要目的是:

1. 去除处理物体表面的外来物层, 如沾污层、氧化层等

2. 改善物体表面状态, 提高物体表面活性, 提高物体表面能等

伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:

离子源型号

RFICP220

Discharge

RFICP 射频

离子束流

>800 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

20 cm Φ

离子束

聚焦, 平行, 散射

流量

10-40 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

30 cm

直径

41 cm

中和器

LFN 2000

 

客户存在的问题:

客户的背银芯片很容易发生银的硫化及氧化,将直接影响芯片的贴装质量.被硫化或氧化背银的芯片采用导电胶粘接、氢气烧结、再流焊贴装均将有空洞率增大导致接触电阻、热阻增大和粘接强度下降等问题.

 

解决方案:

客户采用 KRI 考夫曼平行型射频离子源 RFICP220 , 氩气作为清洗气体, 清洗时间200~300 s, 气体流量40 sccm, 经过 KRI 考夫曼平行型射频离子源 RFICP220 产生的离子束清洗芯片背面

 

运行结果:

1. KRI 考夫曼平行型射频离子源 RFICP220 有效去除背银芯片硫化银及氧化银, 保证了芯片贴装质量

2. 可有效提高 DC/DC 混合电路组装质量及可靠性

 

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