某半导体公司为了去除晶圆反应表面产生的反应产物, 进而提高反应效率, 同时提高晶圆的均匀度, 采用 Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 用于半导体晶圆刻蚀.
Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 产品图如上图, 其主要构件包括 Pfeiffer 分子泵, KRI 考夫曼离子源, 触摸屏控制面板, 真空腔体, 样品台.
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 技术参数如下:
|
Ф4 inch X 6片 |
基板尺寸 |
< Ф3 inch X 8片 |
|
样品台 |
样品台可选直接冷却 / 间接冷却, 0-90度旋转 |
|
|
离子源 |
20cm 考夫曼离子源 |
|
|
均匀性 |
±5% for 8”Ф |
|
|
硅片刻蚀率 |
20 nm/min |
|
|
温度 |
<100 |
Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220
伯东 KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:
|
离子源型号 |
RFICP 220 |
|
Discharge |
RFICP 射频 |
|
离子束流 |
>800 mA |
|
离子动能 |
100-1200 V |
|
栅极直径 |
20 cm Φ |
|
离子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
|
流量 |
10-40 sccm |
|
通气 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
|
典型压力 |
< 0.5m Torr |
|
长度 |
30 cm |
|
直径 |
41 cm |
|
中和器 |
LFN 2000 |
* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量
Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 的样品台可以 0-90 度旋转, 实现晶圆反应面均匀地接受离子的轰击, 进而实现提高晶圆的加工质量.
运用结果：
1. 有效去除晶圆反应表面产生的反应产物, 进而提高反应效率
2. 晶圆的均匀度得到良好提高
3. 晶圆的加工质量得到明显提高
上海伯东是日本 NS 离子蚀刻机, 美国 KRI 考夫曼离子源, 德国 ph-instruments 磁悬浮转子真空计, 德国 普发 Pfeiffer 真空设备, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 HVA 真空阀门, 美国 Gel-pak 芯片包装盒,比利时原装进 口 Europlasma 等离子表面处理机 , 和 美国 Ambrell 感应加热设备 等进口知名品牌的指定代理商 .我们真诚期待与您的合作!
若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
.png)
上海伯东: 罗小姐 台湾伯东: 王小姐
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
M: 1520-195-1076 ( 微信同号 ) F: +886-3-567-0049
QQ: 2470772868 M: +886-939-653-958
www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw
上海伯东版权所有, 翻拷必究！
