Hakuto 日本原装设计制造离子刻蚀机 IBE , 提供微米级刻蚀 , 满足所有材料的刻蚀 , 即使对磁性材料 , 金铜镍银铂等金属及复合半导体材料 , 这些难刻蚀的材料也能进行微米级刻蚀 .
伯东离子刻蚀机 IBE 组成主要包含真空刻蚀腔体 , 样品台 , 离子源等 .
其配置如下 ：
一. 真空腔体
伯东离子刻蚀机 IBE 的真空刻蚀腔体配置的是德国 Pfeiffer 分子泵 .
Pfeiffer 分子泵抽速范围 10 至 2700 L/S , 转速高 90,000 rpm , 极限真空 1E-11 mbar , 能满足各种各样真空度要求 .
伯东销售维修普发 Pfeiffer 真空产品已超过 20 年 .
二. 离子源
伯东离子刻蚀机 IBE 配置的美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 考夫曼 离子源 .
可选的离子源包括 ：
射频离子源 : RFICP380 , RFICP220 , RFICP140 , RFICP100 , RFICP40
考夫曼离子源 : KDC160 , KDC100 , KDC75 , KDC40 , KDC10
霍尔离子源 : eH3000 , eH2000 , eH1000 , eH400 , 线性霍尔离子源 eH Linear
伯东公司是美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 考夫曼离子源亚洲总代理 .
三. 样品台
伯东离子刻蚀机 IBE 的样品台可选直接冷却 / 间接冷却 / 水冷 , 而且可以 0-90 度旋转 .
其中基片尺寸大小支持 Φ3 inch , Φ4 inch , Φ5 inch , Φ6 inch , Φ8 inch 等各种尺寸 .
伯东离子刻蚀机 IBE 优势 :
伯东离子刻蚀机集全球好设备于一身 , 其性能也是优越于市面上绝大部分离子刻蚀机 .
1. 刻蚀材料范围广, 提供微米级刻蚀 , 满足所有材料的刻蚀, 即使对黄金 Au , 铂 Pt , 合金等金属及半导体材料也能提供优质蚀刻
2. 均匀性高 , 高达 ≤±5%
3. 硅片刻蚀率可达 20 nm/min
4. 样品台冷却方式多 , 可选直接冷却 , 间接冷却
5. 样品台可 0-90 度旋转
伯东离子蚀刻机 IBE 包含小型离子蚀刻用于研究分析和大型离子蚀刻系统用于生产制造 , 已应用于半导体器件 , 集成电路制造 , 薄膜电路 , 印刷电路 , 手机背板镀膜 , 手机广角镜头镀膜等 .
伯东离子刻蚀机 IBE 可选型号有 : 20IBE-J , 20IBE-C , 10IBE , 7.5IBE
上海伯东是日本 NS 离子蚀刻机, 美国 KRI 考夫曼离子源, 德国 ph-instruments 磁悬浮转子真空计, 德国 普发 Pfeiffer 真空设备, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 HVA 真空阀门, 美国 Gel-pak 芯片包装盒,比利时原装进 口 Europlasma 等离子表面处理机 , 和 美国 Ambrell 感应加热设备 等进口知名品牌的指定代理商 .我们真诚期待与您的合作!
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