纯 Ti 薄膜具有优异的力学性能、热稳定性、生物相容性和良好的抗摩擦磨损性, 被广泛应用于航空航天、医疗器械、光学和微电子器件等领域, 因此具有重要的研究价值.
西安某大学实验室在纳米纯 Ti 薄膜的研究中, 采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 溅射沉积纳米纯 Ti 薄膜, 制备出的纯Ti薄膜可集膜层致密光滑、沉积速率快和平均晶粒尺寸小于20nm等优点.
伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:
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离子源型号 |
RFICP220 |
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Discharge |
RFICP 射频 |
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离子束流 |
>800 mA |
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离子动能 |
100-1200 V |
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栅极直径 |
20 cm Φ |
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离子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
10-40 sccm |
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通气 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型压力 |
< 0.5m Torr |
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长度 |
30 cm |
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直径 |
41 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量
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该溅射沉积是在真空度为 9×10-5Pa—3×10-4Pa 的真空腔里, 通入气流量为 70ml/min 的氩气, 利用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 产生的氩离子轰击靶材, 溅射沉积 Ti 膜层, 镀膜持续时间30～90min; 完成镀膜的样品待冷却后, 取出.
KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.
因此, 该研究项目才采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射沉积工艺.
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