KRI 考夫曼离子源应用案例发布日期:2021-01-21

KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 溅射沉积 MoN 薄膜


MoN薄膜是一种具有潜在应用价值的薄膜材料, 但对于其结构和性能的研究还较少. 因此,广州某研究机构采用KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 304 不锈钢基体表面溅射沉积 MoN薄膜, 系统研究了 MoN 薄膜在不同摩擦条件下的摩擦磨损行为.

 

伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:

离子源型号

RFICP220

Discharge

RFICP 射频

离子束流

>800 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

20 cm Φ

离子束

聚焦,  平行,  散射

流量

10-40 sccm

通气

Ar,  Kr,  Xe,  O2,  N2,  H2,  其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

30 cm

直径

41 cm

中和器

LFN 2000

可选灯丝中和器可变长度的增量

KRI 射频离子源 RFICP 220

 

结果表明:

偏压显著影响直流磁控沉积的 MoN 薄膜的晶相结构、表面形貌、断面结构、硬度和摩擦磨损性能;随脉冲偏压的增大, MoN 薄膜的膜厚、硬度都先增大后减小, 而薄膜的磨损率却先减小后增大, 其中 -500 V 脉冲偏压下沉积的 MoN 薄膜具有最高硬度为 7731 N/mm~2, 以及最低的磨损率为 5.8×10~(-7)mm~3/(N·m).  此外, MoN 薄膜在不同载荷和转速的摩擦条件下表现出不同的摩擦学行为.
 

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

 

因此, 该研究项目才采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射沉积工艺.

 

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