KRI 考夫曼离子源应用案例发布日期:2021-03-17

KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 溅射沉积 ZrAlN 薄膜


合金化是提高过渡族金属氮化物薄膜硬度及抗磨损、耐腐蚀性能的有效方法。Al是常用合金化元素,能提高薄膜的硬度和抗高温氧化性能。

 

北京某大学实验室在对硬韧  ZrAlN 薄膜及薄膜力学性能研究中, 采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220  辅助磁控溅射沉积的方法在钛合金和单晶 Si 上沉积不同 Al 含量的ZrAlN 薄膜.

 

伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:

离子源型号

RFICP220

Discharge

RFICP 射频

离子束流

>800 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

20 cm Φ

离子束

聚焦,   平行,   散射

流量

10-40 sccm

通气

Ar,   Kr,   Xe,   O2,   N2,   H2,   其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

30 cm

直径

41 cm

中和器

LFN 2000

* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量

KRI 射频离子源 RFICP 220

试验中, 采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220  辅助磁控溅射沉积的方法获得均匀致密、大面积的 ZrAlN 薄膜, 更好的对 ZrAlN 薄膜进行研究.

 

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

 

因此,  该研究项目才采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射沉积工艺.

 

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