上海伯东IBE离子束刻蚀用于铌酸锂LiNbO3薄膜刻蚀
近年来，由于5G通信、大数据、人工智能等行业的强力驱动，光子集成技术得到极大关注。铌酸锂LN以其大透明窗口、低传输损耗、良好的光电/压电/非线性等物理性能以及优良的机械稳定性等被认为是理想的光子集成材料，而单晶薄膜铌酸锂LN则为解决光子集成芯片领域长期存在的低传输损耗、高密度集成以及低调制功耗需求提供了至今为止综合性能最优的解决方案。
随着基于铌酸锂LN的光源、光调制、光探测等重要器件的实现，铌酸锂LN光子集成芯片有望像硅基集成电路一样，成为高速率、高容量、低能耗光学信息处理的重要平台，在光量子计算、大数据中心、人工智能及光传感激光雷达等领域彰显其应用价值。
由于铌酸锂LN的特殊化学性能，IBE离子束刻蚀+EBL电子束曝光是最优的解决方案。IBE离子束刻蚀设备结构如图：
上海伯东NS提供成熟可靠的刻蚀解决方案, 基于50多年的离子束刻蚀经验, 提供从小型研发到生产型的标准刻蚀机和定制刻蚀系统, 刻蚀均匀性 ≤±5% (部分材料 3%)。
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Hakuto 离子束刻蚀机 IBE 特点
1. 干法刻蚀, 物理蚀刻, 纳米级别的刻蚀精度
2. 离子束角度可以±90°任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状
3. 行星旋转载台, 优异的刻蚀均匀性, 刻蚀均匀性 ≤±5% (部分材料 3%),
4. 直接冷却载台, 循环水冷, 晶圆载台冷却性能优异
5. 间接冷却载台, 间接冷却设计的干式吸盘载台易于设计载台尺寸和数量
6. 设计灵活, 系统设计上尽可能满足客户的具体要求, 提供定制的离子束刻蚀机
7. 真空系统可选德国 Pfeiffer 分子泵和旋片泵
8. 干式载台设计, 掺入金属粉末的干式橡胶卡盘确保了良好的导热性和晶圆附着稳定性
伯东离子蚀刻机其余应用:
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 用于陶瓷板 Pt、Au、Cr 薄膜刻蚀 (hakuto-china.cn)
Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 用于芯片去层 (hakuto-china.cn)
Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 用于半导体晶圆刻蚀 (hakuto-china.cn)
伯东离子刻蚀机 IBE 用于金铜镍银铂等材料微米级刻蚀 (hakuto-china.cn)
伯东离子蚀刻机应用领域
上海伯东是美国 inTEST 高低温冲击测试机, 德国 Pfeiffer 真空设备, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国Gel-pak 芯片包装盒, 日本 NS 离子蚀刻机, 比利时原装进口 Europlasma 等离子表面处理机 和美国 Ambrell 感应加热设备等进口知名品牌的指定代理商 .我们真诚期待与您的合作!
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