一、简介
随着半导体芯片节点尺寸不断缩小，传统深紫外（DUV）光刻技术（193nm波长）已接近物理极限。极紫外（EUV）光刻技术采用13.5nm波长的光源，可在真空环境下实现10nm以下节点的先进芯片制造。
普发（Pfeiffer）为EUV光刻系统提供完整的真空解决方案，涵盖从光源腔体到扫描腔体的高真空与低真空需求，支持氢气大流量抽速、低极限压力、低运行成本及紧凑集成。
二、EUV光刻中的真空应用
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在EUV光刻过程中，真空环境是必不可少的，因为任何物质都会吸收EUV光。主要应用包括：
1. EUV光源腔体：使用高流量氢气保护收集镜免受锡沉积污染，需要具备大氢气抽速的真空泵维持压力。
2. 扫描腔体：EUV光传输至晶圆的过程中，需要极低的运行压力，依赖涡轮分子泵实现。
三、普发真空 Pfeiffer 解决方案
1. 低真空级（主泵/前级泵）
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产品系列 |
型号/系列 |
特点 |
|---|---|---|
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真空增压泵 |
高性能真空增压泵，与ADH系列配合使用 |
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小型风冷干泵 |
适用于EUV生态系统中需要小型真空的部件制造 |
2. 高真空级（涡轮分子泵）
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| 型号/系列 |
产品系列 |
特点 |
|---|---|---|
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涡轮分子泵 |
无振动、高氢气抽速 |
|
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涡轮分子泵 |
无振动、高氢气抽速，适用于高要求EUV环境 |
3. 真空测量与检漏
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产品系列 |
型号/系 列 |
特点 |
|---|---|---|
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真空计 |
数字真空测量，支持系统集成 |
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高性能型号 |
确保EUV设备在最严格的密封条件下运行 |
四、EUV光刻应用需求与普发应对
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应用需求 |
普发解决方 案 |
|---|---|
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低拥有成本（低功耗、长维护周期） |
ADH系列、HiPace、ATH-M系列节能设计 |
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高氢气抽速 |
ADH 系列 + HiLobe 组合 |
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低极限压力 |
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小占地面积 |
集成化设计，紧凑布局 |
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严格密封性 |
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无振动运行 |
HiPace / ATH-M 无振动设计 |
五、EUV与DUV对比
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特性 |
DUV（深紫外） |
EUV（ 极紫外） |
|---|---|---|
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波长 |
193 nm |
13.5 nm |
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工作环境 |
大气压 |
真空 |
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最小节点 |
接近极限 |
10 nm 以下 |
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真空要求 |
无 |
必须 |
六、总结
普发（Pfeiffer）为EUV光刻系统提供从低真空到高真空、从测量到检漏的完整真空解决方案。其 HiLobe增压泵、HiPace与ATH-M涡轮分子泵、ACP系列小型干泵、DigiLine真空计及氦质谱检漏仪，共同支撑起先进芯片制造所需的高可靠、高效率、低成本的真空环境。
上海伯东作为德国普发Pfeiffer授权代理，可为EUV光刻及相关半导体应用提供产品选型、技术支持与售后服务。
上海伯东是日本 NS 离子蚀刻机, 美国 KRI 考夫曼离子源, 德国 ph-instruments 磁悬浮转子真空计, 德国 普发 Pfeiffer 真空设备, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 HVA 真空阀门, 美国 Gel-pak 芯片包装盒,比利时原装进 口 Europlasma 等离子表面处理机 , 和 美国 Ambrell 感应加热设备 等进口知名品牌的指定代理商 .我们真诚期待与您的合作!
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