KRI 离子源辅助镀膜 IAD 时, 霍尔离子源和考夫曼离子源, 哪个好
光学镀膜是光学工业中最为重要的工艺之一, 其中离子源辅助镀膜技术是一种目前技术先进的光学镀膜技术. 离子源辅助镀膜IAD的作用有：
1. 填充密度提高：折射率提高
2. 波长漂移减少
3. 红外波段的水气吸收减少
4. 增强了膜层的结合力、耐摩擦能力, 机械强度, 提高表面光洁度
5. 控制膜层的应力
6. 减少膜层的吸收和散射
7. 提高生产效率
在真空环境下, 利用发射的电子在电场合磁场的相互作用下, 使充入真空室的气体产生离化, 在电场合磁场的作用下发射离子.
上海伯东代理美国考夫曼公司霍尔离子源、考夫曼离子源和射频离子源, 选择哪类型离子源, 用于辅助镀膜 IAD呢？今天就跟大家简单介绍这三种离子源.
霍尔离子源属于高浓度低动能型, 其主要构成结构有：
1. 灯丝
2. 阳极模組
3. 主要模組
4. 底座(可调整角度, 高度)
实图如下:
KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列在售型号及技术参数:
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离子源型号
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霍尔离子源
eH200(停产)
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霍尔离子源
eH400
eH400LE
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霍尔离子源
eH1000
eH1000LE
eH1000LO
|
霍尔离子源
eH1000xO2
|
霍尔离子源
eH2000
eH2000LE
eH2000HO
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霍尔离子源
eH3000
eH3000LO
eH3000MO
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Cathode/Neutralizer
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F or HC
|
F or HC
|
F or HC
|
F or HC
|
F or HC
HC
HC
|
HC
|
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电压
|
30-300V
|
50-300V
30-150V
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50-300V
30-150V
50-300V
|
100-300V
|
50-300V
30-150V
50-250V
|
50-250V
50-300V
50-250V
|
|
电流
|
2A
|
5A
10A
|
10A
12A
5A
|
10A
|
10A
15A
15A
|
20A
10A
15A
|
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散射角度
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>45
|
>45
|
>45
|
>45
|
>45
|
>45
|
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可充其他
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Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others
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气体流量
|
1-15sccm
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2-25sccm
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2-50sccm
|
2-50sccm
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2-75sccm
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5-100sccm
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高度
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2.0“
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3.0“
|
4.0“
|
4.0“
|
4.0“
|
6.0“
|
|
直径
|
2.5“
|
3.7“
|
5.7“
|
5.7“
|
5.7“
|
9.7“
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水冷
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无
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可选
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可选
|
可选
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是
|
可选
|
考夫曼离子源 KDC属于高浓度低动能型, 其主要构成结构有：
1. Grid (栅极) 模組
2. Out shell (外壳) 模組
3. CathodeCathode moudlemoudle (阴极模组)
4. Anode with Magnet assembly (阳极与磁力模组)
伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 技术参数：
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离子源型号
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离子源 KDC 10
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离子源 KDC 40
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离子源 KDC 75
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离子源 KDC 100
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离子源 KDC 160
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Discharge
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DC 热离子
|
DC 热离子
|
DC 热离子
|
DC 热离子
|
DC 热离子
|
|
离子束流
|
>10 mA
|
>100 mA
|
>250 mA
|
>400 mA
|
>650 mA
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|
离子动能
|
100-1200 V
|
100-1200 V
|
100-1200 V
|
100-1200 V
|
100-1200 V
|
|
栅极直径
|
1 cm Φ
|
4 cm Φ
|
7.5 cm Φ
|
12 cm Φ
|
16 cm Φ
|
|
离子束
|
聚焦, 平行, 散射
|
|
流量
|
1-5 sccm
|
2-10 sccm
|
2-15 sccm
|
2-20 sccm
|
2-30 sccm
|
|
通气
|
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
|
|
典型压力
|
< 0.5m Torr
|
< 0.5m Torr
|
< 0.5m Torr
|
< 0.5m Torr
|
< 0.5m Torr
|
|
长度
|
11.5 cm
|
17.1 cm
|
20.1 cm
|
23.5 cm
|
25.2 cm
|
|
直径
|
4 cm
|
9 cm
|
14 cm
|
19.4 cm
|
23.2 cm
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中和器
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灯丝
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射频离子源RFICP属于高浓度低动能型, 其主要构成结构有：
1. 底座风冷风扇
2. Grid (栅极) 模組
3. RF Coil (射频铜管)
4. 石英杯
5. LFN 2000 (灯丝) 中和器
射频离子源 RFICP 系列技术参数:
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型号
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RFICP 40
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RFICP 100
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RFICP 140
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RFICP 220
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RFICP 380
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Discharge
|
RFICP 射频
|
RFICP 射频
|
RFICP 射频
|
RFICP 射频
|
RFICP 射频
|
|
离子束流
|
>100 mA
|
>350 mA
|
>600 mA
|
>800 mA
|
>1500 mA
|
|
离子动能
|
100-1200 V
|
100-1200 V
|
100-1200 V
|
100-1200 V
|
100-1200 V
|
|
栅极直径
|
4 cm Φ
|
10 cm Φ
|
14 cm Φ
|
20 cm Φ
|
30 cm Φ
|
|
离子束
|
聚焦, 平行, 散射
|
|
|
流量
|
3-10 sccm
|
5-30 sccm
|
5-30 sccm
|
10-40 sccm
|
15-50 sccm
|
|
通气
|
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
|
|
典型压力
|
< 0.5m Torr
|
< 0.5m Torr
|
< 0.5m Torr
|
< 0.5m Torr
|
< 0.5m Torr
|
|
长度
|
12.7 cm
|
23.5 cm
|
24.6 cm
|
30 cm
|
39 cm
|
|
直径
|
13.5 cm
|
19.1 cm
|
24.6 cm
|
41 cm
|
59 cm
|
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中和器
|
LFN 2000
|
以上是 KRI 霍尔离子源 / 考夫曼离子源 / 射频离子源简单介绍.
KRI 离子源辅助镀膜 IAD 时, 霍尔离子源和考夫曼离子源, 哪个好？ 其实从上面的介绍可以看出, 霍尔离子源和考夫曼离子源, 并没有好与不好之分, 主要是看工艺的需求, 适合的才是最合适的.
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