镀膜技术 IAC 是利用沉积原子和轰击离子之间一系列的物理化学作用, 可在常温下合成各种优质薄膜. 其关键技术是离子源、靶室和工艺参数的控制.
离子源
离子源是产生所需离子的关键部件, 它的种类与质量决定着制备膜层的性能和质量. KRI 考夫曼离子源, 它能产生气体元素的大面积离子束, 适合用于离子束溅射镀膜、对膜层进行离子束轰击以及对工件进行离子束表面清洗.
伯东为客户提供栅极离子源和无栅离子源, 客户可根据自己的工艺需求, 选择不同的离子源.
伯东 KRI 离子源有:
KRI 射频离子源 RFICP 系列： RFICP 380、RFICP 220、RFICP 140 、RFICP 100、 RFICP 40
KRI 考夫曼离子源 Gridded KDC 系列： KDC 160、KDC 100、KDC 75、KDC 40、KDC 10
KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列:eH 3000、eH 2000、eH 1000、eH 400、eH Linear
靶室
靶室是装载工件, 进行离子束表面处理的部件, 它的容积大小、靶的工件夹具机构及其运动方式, 随工件种类的不同, 差异很大.
工艺参数控制
精确控制工艺参数, 保证工件表面的沉积原子数与轰击原子数达到一定的比例, 对膜层的性能和质量至关重要.
KRI 离子源在创新设计, 产品质量和技术专长方面享誉全球. 这些离子源可输出高质量和稳定的离子束, 通过控制器可以实现精确控制, 以提供确定的形状, 电流密度和离子能量.
实际应用证明, 离子源用在镀膜技术 IAC可制备出结合力很强的具有各种特殊的膜层, 如ZrN、ZrC、BN、TiO2和类金刚石碳膜等.
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